供应(TMR)双轴角度传感器，MMA243F系列传感器直销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMA243F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、(TMR)双轴角度传感器特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
超大输出信号，无需信号放大
超低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
低磁滞
宽工作电压范围
工作间隙大
极小封装尺寸
二、(TMR)双轴角度传感器应用介绍：
被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，被测电流Ip流经的电流线为U形铜导线，两个TMR芯片位于U形电流线的正上方，通过被测电流Ip后，U型线两臂正上方的同一位置产生方向相反、大小相同的磁场强度B。两TMR芯片分别感应U形线两臂产生的磁场B，经过简单的差分电路既可将两TMR芯片的输出信号放大取出，得到最终的输出信号Vout。
性能比较： Hall TMR
灵敏度 0.1mV/V/Oe 12mV/V/Oe
线性度 2% 0.4%
温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃
是否需要磁环 必须要 不需
三、典型应用：
旋转位置传感器
旋转编码器
非接触式电位器
阀门位置传感器
旋钮传感器
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供应MMA243F传感器厂家，低磁滞(TMR)双轴角度传感器
信息内容：一、低磁滞(TMR)双轴角度传感器极限参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 工作磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 二、低磁滞(TMR)双轴角度传感器特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超大输出信号，无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 低磁滞 宽工作电压范围 工作间隙大 极小封装尺寸 三、低磁滞(TMR)双轴角度传感器概述 在角度传感器的应用场合下，在MMA243F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。 MMA243F采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件，使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的80%，从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。MMA243F性能优越，采用超小型LGA8封装形式，尺寸仅为3.0 mm 3.0 mm 0.95 mm。 四、低磁滞(TMR)双轴角度传感器应用介绍： 被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，一个TMR 芯片位于电流线的正上方，被测电流被覆制在PCB板上，被测电流Ip流经电流线，在TMR芯片位置产生...
供应大流量报警专用传感器，MMA243F传感器厂家
信息内容：一、大流量报警专用传感器工作原理 在MMA243F芯片上表面放置一小块磁铁，通过旋转，该磁铁可以在平行于MMA243F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA243F中的TMR传感器主要由两磁性层组成，一层是“钉扎层”，磁化方向不受外加磁场影响，另一层是“自由层”， 受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应，电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变化，所以当外加磁场角度变化时，传感器的输出电压波形呈正余弦曲线。 二、大流量报警专用传感器概述 在角度传感器的应用场合下，在MMA243F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。 MMA243F采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件，使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的80%，从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。MMA243F性能优越，采用超小型LGA8封装形式，尺寸仅为3.0 mm 3.0 mm 0.95 mm。 三、大流量报警专用传感器特点： 抗干扰能力强 成本低 处理电路简单 工作温度范围宽（-55℃~...
