一、低磁滞(TMR)双轴角度传感器极限参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
工作磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
二、低磁滞(TMR)双轴角度传感器特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
超大输出信号,无需信号放大
超低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
低磁滞
宽工作电压范围
工作间隙大
极小封装尺寸
三、低磁滞(TMR)双轴角度传感器概述
在角度传感器的应用场合下,在MMA243F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场,芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。 MMA243F采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件,使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的80%,从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。MMA243F性能优越,采用超小型LGA8封装形式,尺寸仅为3.0 mm 3.0 mm 0.95 mm。
四、低磁滞(TMR)双轴角度传感器应用介绍:
被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,一个TMR 芯片位于电流线的正上方,被测电流被覆制在PCB板上,被测电流Ip流经电流线,在TMR芯片位置产生平行于TMR芯片灵敏方向的磁场B,TMR芯片感应感应到被测电流线产生的磁场B,TMR芯片的输出信号直接取出或经过简单的差分电路输出既可将信号取出,得到最终的输出信号Vout。
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一、大流量报警专用传感器工作原理 在MMA243F芯片上表面放置一小块磁铁,通过旋转,该磁铁可以在平行于MMA243F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA243F中的TMR传感器主要由两磁性层组成,一层是“钉扎层”,磁化方向不受外加磁场影响,另一层是“自由层”, 受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应,电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变化,所以当外加磁场角度变化时,传感器的输出电压波形呈正余弦曲线。 二、大流量报警专用传感器概述 在角度传感器的应用场合下,在MMA243F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场,芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。 MMA243F采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件,使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的80%,从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。MMA243F性能优越,采用超小型LGA8封装形式,尺寸仅为3.0 mm 3.0 mm 0.95 mm。 三、大流量报警专用传感器特点: 抗干扰能力强 成本低 处理电路简单 工作温度范围宽(-55℃~...
一、MMA243F低磁滞传感器特点: 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超大输出信号,无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 低磁滞 宽工作电压范围 工作间隙大 极小封装尺寸 二、MMA243F低磁滞传感器应用介绍: 如下图所示,被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,被测得电流线通过电流Ip后,产生磁场B作用于环形排列的TMR芯片,被测磁场B沿TMR芯片环形排列闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包围的各个电流之代数和。这个结论称为安培环路定理(Ampere circuital theorem)。利用安培环路定理,环形排列的TMR芯片经电流线磁场作用后产生的输出信号经简单的电路处理,既可得到输出信号Vout。 性能比较: Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 三、极限参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 工作磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:05...