供应QM400HA1-2H三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM400HA1-2H 400A/1000V/1U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应QM400HA1-2H三菱模块
现代IGBT具有以下明显优点[2]:(1) 保持了MOSFET作为单极型半导体器件的一系列优点:
a. 在很宽的工作电流范围内具有正电阻温度系数。这对于消除双极型功率器件中不可避免隐藏的“束流效应”和由此带来的许多不安全隐患(如双极晶体管中的二次击穿)，具有极其重大的实用价值。
b. 其反向恢复过程相对于双极型器件来具有超快、超软、超稳定的特点。这不仅有利于缩短装置中必须考虑的“死区时间”，而且有利于串并联运行。
c.开关速度快得多，达到纳秒量级。
(2) 便于实现多芯片并联运行，这正是它具有正电阻温度系数特性的直接结果。现在已经有数十片高电压IGBT芯片并联运行多年的成功经验。
(3) 鉴于其反向恢复电荷小、反向恢复时间短，这为采用新型特快动作的压敏保护器件来实现多个IGBT“直接串联”提供了技术上的可能。
(4) IGBT的开关损耗远低于双极型器件，而它的通态压降(对应着通态损耗)也越来越接近双极型器件。于是，现代IGBT器件的总功率损耗降低，其运行效率明显提高。
(5) IGBT在正常工作状况下的锁定效应(Latch-up效应)已被抑制，在过载、浪涌等高电流密度下的动态锁定效应也提高到更高的电流水平。
(6) IGBT中不存在晶闸管类器件在开通过程中必然存在的电流先集中在初始导通区域然后再逐步向全面积扩展的“慢”过程，而是让电流直接从大量反型了的并联沟道里流通，所以有更高的di/dt 耐量，而且开通过程更加均匀。
(7) IGBT中隐藏的寄生晶闸管，其一个主发射极是被“短接”的，所以它比GTO晶闸管和某些IGCT等双极型器件有高得多的du /dt耐量。因此，IGBT比较适合于在高频、大功率应用中担当功率开关管的角色，具有的动态性能。它不仅已经基本取代了GTR(电力晶体管)的一般应用，而且在很多领域内向GTO等器件提出了挑战。
相似型号：
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供应三菱模块QM300HC-M
信息内容：供应三菱模块QM300HC-M 使用IGBT模块使用中应注意的问题 IGBT的结构与MOSFET类似，从等效电路和工作机理来说，可以认为IGBT是MOS输入的达林顿晶体管，其输入级是MOSFET，输出级是PNP晶体管。IGBT模块的使用应特别注意以下几方面的问题。 1防静电对策 IGBT的VGE保证值为±20V，在IGBT模块上加上超出保证值的电压有损坏的危险，因而在栅极-发射极之间接一只10kQ左右的电阻器为宜。 2驱动电路设计 严格地说，能否充分利用IGBT器件的性能，关键取决于驱动电路的设计。IGBT驱动电路必须能提供适当的正向栅压、足够的反向栅压、足够的输入输出电隔离能力,以及具有栅压限幅电路等。 3保护电路的设计 IGBT模块因过电流、过电压等异常现象有可能损坏。因此，必须在对器件的特性充分了解的情况下，设计出与器件特性相匹配的过电压、过电流、过热等保护电路。 4散热设计 取决于IGBT模块所允许的结温(Tj),在该温度下，首先要计算出器件产生的损耗，该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。在散热设计不充分的场合，实际运行在中等水平时，也有可能超过器件允许温度而导致器件损坏。 ...
供应QM100HY-H三菱模块
信息内容：供应QM100HY-H三菱模块 IGBT高压化 1993年，德国EUPEC公司(欧洲电力电子公司)推出3.2kV/1.3kA的IGBT模块，但它是用多个IGBT芯片串联加并联组成的。只能说是高压化发展的一种尝试。人们曾认为IGBT耐压不会突破2kV，是因为1.2kV以下的IGBT都是用高阻外延硅片制成的，电压要达到1.5kV，外延层厚度就要超过180μm，几乎是不能实用化的。 1996年，日本东芝公司推出了2.5kV/1kA的IGBT，具有同大功率晶闸管、GTO管相同的平板压接式封装结构。它突破了外延片的制约，采用(110)晶面的高阻单晶硅片制造，硅片厚度超过300μm，有了足够的机械强度。 1998年，耐压4.5kV的单管IGBT开发出来，但是，要想制作单管大电流IGBT是不可能的。在IGBT的制造过程中要做十几次精细的光刻套刻，经过相应次数的高温加工，图形大到一定程度，合格率会急剧下降，甚至为零。所以，制造大功率IGBT，必然是要并联的。 东芝公司生产的2.5kV/1kAIGBT，是由24个2.5kV/80A的IGBT芯片并联而成的，还有16个2.5kV/100A的超快恢复二极管(FRED)芯片与之反并联(续流二极管)。实现单串多并结构是IGBT走向大功率化的必由之路。采用NPT结构是IGBT自如并联的必要条件。 ...
