供应QM100HY-H三菱模块
IGBT高压化
1993年,德国EUPEC公司(欧洲电力电子公司)推出3.2kV/1.3kA的IGBT模块,但它是用多个IGBT芯片串联加并联组成的。只能说是高压化发展的一种尝试。人们曾认为IGBT耐压不会突破2kV,是因为1.2kV以下的IGBT都是用高阻外延硅片制成的,电压要达到1.5kV,外延层厚度就要超过180μm,几乎是不能实用化的。
1996年,日本东芝公司推出了2.5kV/1kA的IGBT,具有同大功率晶闸管、GTO管相同的平板压接式封装结构。它突破了外延片的制约,采用(110)晶面的高阻单晶硅片制造,硅片厚度超过300μm,有了足够的机械强度。
1998年,耐压4.5kV的单管IGBT开发出来,但是,要想制作单管大电流IGBT是不可能的。在IGBT的制造过程中要做十几次精细的光刻套刻,经过相应次数的高温加工,图形大到一定程度,合格率会急剧下降,甚至为零。所以,制造大功率IGBT,必然是要并联的。
东芝公司生产的2.5kV/1kAIGBT,是由24个2.5kV/80A的IGBT芯片并联而成的,还有16个2.5kV/100A的超快恢复二极管(FRED)芯片与之反并联(续流二极管)。实现单串多并结构是IGBT走向大功率化的必由之路。采用NPT结构是IGBT自如并联的必要条件。
相似型号:
QM50HA-H(HB) 50A/600V/1U QM400HA-H 400A/600V/1U
供应QM200HC-M三菱模块 保持了MOSFET作为单极型半导体器件的一系列优点: a. 在很宽的工作电流范围内具有正电阻温度系数。这对于消除双极型功率器件中不可避免隐藏的“束流效应”和由此带来的许多不安全隐患(如双极晶体管中的二次击穿),具有极其重大的实用价值。 b. 其反向恢复过程相对于双极型器件来具有超快、超软、超稳定的特点。这不仅有利于缩短装置中必须考虑的“死区时间”,而且有利于串并联运行。 c.开关速度快得多,达到纳秒量级。 相似型号: QM50HA-H(HB) 50A/600V/1U QM400HA-H 400A/600V/1U QM50HB-H 50A/600V/1U QM 500HA-H 500A/600V/1U QM75HA-H 75A/600V/1U QM600HD-M 600A/400V/1U QM100HA-H 100A/600V/1U QM100HC-M 100A/350V/1U QM75E1Y-H 75A/600V/1U QM200HC-M 200A/350V/1U QM100HY-H 100A/600V/1U QM300HC-M 300A/350V/1U
供应三菱模块QM75E1Y-H IGBT关断 当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时,沟道被禁止,没有空穴注入N-区内。在任何情况下,如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降,集电极电流则逐渐降低,这是因为换向开始后,在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低,完全取决于关断时电荷的密度,而密度又与几种因素有关,如掺杂质的数量和拓扑,层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形,集电极电流引起以下问题:功耗升高;交叉导通问题,特别是在使用续流二极管的设备上,问题更加明显。 鉴于尾流与少子的重组有关,尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此,根据所达到的温度,降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。 相似型号: QM50HC-HE 50A/600V/1U QM300HH-H 300A/600V/1U QM50HA-H(HB) 50A/600V/1U QM400HA-H 400A/600V/1U QM50HB-H 50A/600V/1U QM 500HA-H 500A/600V/1U QM75HA-H 75A/600V/1U QM600HD-M 600A/400V/1U QM100HA-H 100A/600V/1U QM100HC-M 100A/350V/1U QM75E1Y-H 75A/600V/1U QM200HC-M 200A/350V/1U QM10...