供应QM200HC-M三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM200HC-M | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应QM200HC-M三菱模块
保持了MOSFET作为单极型半导体器件的一系列优点:a. 在很宽的工作电流范围内具有正电阻温度系数。这对于消除双极型功率器件中不可避免隐藏的“束流效应”和由此带来的许多不安全隐患(如双极晶体管中的二次击穿)，具有极其重大的实用价值。
b. 其反向恢复过程相对于双极型器件来具有超快、超软、超稳定的特点。这不仅有利于缩短装置中必须考虑的“死区时间”，而且有利于串并联运行。
c.开关速度快得多，达到纳秒量级。
相似型号：
QM50HA-H(HB) 50A/600V/1U QM400HA-H 400A/600V/1U
QM50HB-H 50A/600V/1U QM 500HA-H 500A/600V/1U
QM75HA-H 75A/600V/1U QM600HD-M 600A/400V/1U
QM100HA-H 100A/600V/1U QM100HC-M 100A/350V/1U
QM75E1Y-H 75A/600V/1U QM200HC-M 200A/350V/1U
QM100HY-H 100A/600V/1U QM300HC-M 300A/350V/1U
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供应三菱模块QM75E1Y-H
信息内容：供应三菱模块QM75E1Y-H IGBT关断 当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高;交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。 鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。 相似型号： QM50HC-HE 50A/600V/1U QM300HH-H 300A/600V/1U QM50HA-H(HB) 50A/600V/1U QM400HA-H 400A/600V/1U QM50HB-H 50A/600V/1U QM 500HA-H 500A/600V/1U QM75HA-H 75A/600V/1U QM600HD-M 600A/400V/1U QM100HA-H 100A/600V/1U QM100HC-M 100A/350V/1U QM75E1Y-H 75A/600V/1U QM200HC-M 200A/350V/1U QM10...
供应三菱模块QM500HA-H
信息内容：供应三菱模块QM500HA-H IGBT模块的使用应特别注意以下几方面的问题。 4.1防静电对策 IGBT的VGE保证值为±20V，在IGBT模块上加上超出保证值的电压有损坏的危险，因而在栅极-发射极之间接一只10kQ左右的电阻器为宜。 4.2驱动电路设计 严格地说，能否充分利用IGBT器件的性能，关键取决于驱动电路的设计。IGBT驱动电路必须能提供适当的正向栅压、足够的反向栅压、足够的输入输出电隔离能力,以及具有栅压限幅电路等。 4.3保护电路的设计 IGBT模块因过电流、过电压等异常现象有可能损坏。因此，必须在对器件的特性充分了解的情况下，设计出与器件特性相匹配的过电压、过电流、过热等保护电路。 4.4散热设计 取决于IGBT模块所允许的结温(Tj),在该温度下，首先要计算出器件产生的损耗，该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。在散热设计不充分的场合，实际运行在中等水平时，也有可能超过器件允许温度而导致器件损坏。 4.5栅极串联电阻(Rc) 对IGBT来说，增大栅极电阻能够减少IGBT开通时续流二极管的反向恢复过电压，减少通态下出现短路的冲击电流值;与此同时，增大栅极...
