供应三菱模块QM500HA-H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM500HA-H | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块QM500HA-H
IGBT模块的使用应特别注意以下几方面的问题。4.1防静电对策
IGBT的VGE保证值为±20V，在IGBT模块上加上超出保证值的电压有损坏的危险，因而在栅极-发射极之间接一只10kQ左右的电阻器为宜。
4.2驱动电路设计
严格地说，能否充分利用IGBT器件的性能，关键取决于驱动电路的设计。IGBT驱动电路必须能提供适当的正向栅压、足够的反向栅压、足够的输入输出电隔离能力,以及具有栅压限幅电路等。
4.3保护电路的设计
IGBT模块因过电流、过电压等异常现象有可能损坏。因此，必须在对器件的特性充分了解的情况下，设计出与器件特性相匹配的过电压、过电流、过热等保护电路。
4.4散热设计
取决于IGBT模块所允许的结温(Tj),在该温度下，首先要计算出器件产生的损耗，该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。在散热设计不充分的场合，实际运行在中等水平时，也有可能超过器件允许温度而导致器件损坏。
4.5栅极串联电阻(Rc)
对IGBT来说，增大栅极电阻能够减少IGBT开通时续流二极管的反向恢复过电压，减少通态下出现短路的冲击电流值;与此同时，增大栅极电阻的结果将使开通关断损耗增加，延长开通和关断时间。因此的办法是配置两个串联电阻器，即RG(on)和RG(off)，在实际设计时应考虑具体的应用要求。如在高压二极管的情况下，恢复时间趋长，RG(on)应比产品目录的推荐值大2倍～4倍。
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供应QM50HA-H(HB)三菱模块
信息内容：供应QM50HA-H(HB)三菱模块 2P系列NPT—IGBT模块的特点 FUJIP系列IGBT采用NPT工艺制造，比PT(PunchThrough)IGBT有更多的优越性，特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、电焊电源等领域，其显著特点如下： (1)电流额定值是在Tc=800℃时标出的。 (2)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比，易于并联。 (3)开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当结温升高时，其开关损耗比PT-IGBT增加的少，因此P系列模块更适合高频应用。 (4)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。 (5)P系列中，尤其是1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区，反偏安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大地简化，同时，短路承受能力也大大提高。 (6)低损耗、软开关，它的dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。 目前，IGBT已发展到第四代;西门子/EUPEC已可提供电流从10A～2.4kA，电压范围为600V～3.3kV的IGBT模块，以1.2kA/3.3kVIGBT为例，其栅极发射极电压仅为15V，触发功率低、关断损耗小、di/dt.du/dt都得到有效的控制...
供应三菱模块QM50HC-HE
信息内容：供应三菱模块QM50HC-HE 智能MOS栅IGBT模块化 由于IGBT高频性能的改进，可将驱动电路、保护电路和故障诊断电路集成在一起，制成智能功率模块，一般情况下采用电压触发。 通过采用大规模集成电路的精细制作工艺并对器件的少数载流子寿命进行控制，新一代功率IGBT芯片已问世。第三代IGBT与代产品相比，在断态下降时间及饱和电压特性上均有较大的提高。 IGBT是双极型晶体管(BJT)和MOSFET的复合器件，其将BJT的电导调制效应引入到VDMOS的高阻漂移区，大大改善了器件的导通性，同时它还具有MOSFET的栅极高输入阻抗，为电压驱动器件。开通和关断时均具有较宽的安全工作区，IGBT所能应用的范围基本上替代了传统的晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)等器件。 相似型号： 型号（1单元600V）GTR技术指标 型号（1单元600V）GTR 技术指标 QM15HA-H 15A/600V/1U QM150HY-H 150A/600V/1U QM20HA-HB 20A/600V/1U QM200HA-H 200A/600V/1U QM30HA-H(HB) 30A/600V/1U QM200HH-H 200A/600V/1U QM50HE(HG)-H 50A/600V/1U QM300HA-H(HB) 300A/600V/1U QM50HC-HE 50A/600V/1U QM300HH-H 300A/600V/1U
