供应三菱模块QM50HC-HE
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM50HC-HE | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块QM50HC-HE
智能MOS栅IGBT模块化由于IGBT高频性能的改进，可将驱动电路、保护电路和故障诊断电路集成在一起，制成智能功率模块，一般情况下采用电压触发。
通过采用大规模集成电路的精细制作工艺并对器件的少数载流子寿命进行控制，新一代功率IGBT芯片已问世。第三代IGBT与代产品相比，在断态下降时间及饱和电压特性上均有较大的提高。
IGBT是双极型晶体管(BJT)和MOSFET的复合器件，其将BJT的电导调制效应引入到VDMOS的高阻漂移区，大大改善了器件的导通性，同时它还具有MOSFET的栅极高输入阻抗，为电压驱动器件。开通和关断时均具有较宽的安全工作区，IGBT所能应用的范围基本上替代了传统的晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)等器件。
相似型号：
型号（1单元600V）GTR技术指标 型号（1单元600V）GTR 技术指标
QM15HA-H 15A/600V/1U QM150HY-H 150A/600V/1U
QM20HA-HB 20A/600V/1U QM200HA-H 200A/600V/1U
QM30HA-H(HB) 30A/600V/1U QM200HH-H 200A/600V/1U
QM50HE(HG)-H 50A/600V/1U QM300HA-H(HB) 300A/600V/1U
QM50HC-HE 50A/600V/1U QM300HH-H 300A/600V/1U
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供应三菱模块QM30TB-24（24B）
信息内容：供应三菱模块QM30TB-24（24B） 导通 IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 空穴电流(双极)。 相似型号： 型号（6U 1000/1200V）GTR技术指标 型号（6U 1000/1200V）GTR技术指标 QM15TB-2H（2HB）15A/1000V（1200V）/6U QM30TB-2H（2HB）30A/1000V/6U QM15TB-24（24B）15A/1200V/6U QM50TB-2H（2HB）50A/1000V/6U QM30TB-24（24B）30A/1200V/6U QM50TB-24（24B）50A/12000V/6U
供应三菱模块QM100TX-H(HB)
信息内容：供应三菱模块QM100TX-H(HB) IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图 相似型号： QM20TD-H(HB)(9)(9B) 20A/600V/6U QM100TF-H(HB) 100A/600V/6U QM20TB-H 20A/600V/6U QM50TX-H(HB) 50A/600V/6U QM30TB-9 30A/600V/6U QM75TX-H(HB) 75A/600V/6U QM30TF-H(HB) 30A/600V/6U QM100TX-H(HB) 100A/600V/6U QM30TB1-H 30A/600V/6U QM100TX1-HB 100A/600V/6U
