供应三菱模块QM30TB-24（24B）
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM30TB-24（24B）30A/1200V/6U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块QM30TB-24（24B）
导通
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。
当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 空穴电流(双极)。
相似型号：
型号（6U 1000/1200V）GTR技术指标 型号（6U 1000/1200V）GTR技术指标
QM15TB-2H（2HB）15A/1000V（1200V）/6U QM30TB-2H（2HB）30A/1000V/6U
QM15TB-24（24B）15A/1200V/6U QM50TB-2H（2HB）50A/1000V/6U
QM30TB-24（24B）30A/1200V/6U QM50TB-24（24B）50A/12000V/6U
- 所属城市：北京 北京市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 朱青
- 电话：010-59264989/59946198
- 传真：010-59919079
- 手机：13901002894
- QQ ：
供应三菱模块QM100TX-H(HB)
信息内容：供应三菱模块QM100TX-H(HB) IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图 相似型号： QM20TD-H(HB)(9)(9B) 20A/600V/6U QM100TF-H(HB) 100A/600V/6U QM20TB-H 20A/600V/6U QM50TX-H(HB) 50A/600V/6U QM30TB-9 30A/600V/6U QM75TX-H(HB) 75A/600V/6U QM30TF-H(HB) 30A/600V/6U QM100TX-H(HB) 100A/600V/6U QM30TB1-H 30A/600V/6U QM100TX1-HB 100A/600V/6U
供应QM200DY-2H(24)(B)三菱模块
信息内容：供应QM200DY-2H(24)(B)三菱模块 (1)栅极-发射极阈值电压VGE(TO)测试:由电压源对被测器件施加规定的集电极-发射极电压;从零开始逐渐增加栅极-发射极间的电压,当检测到集电极电流达到规定值时，此时的栅极电压值即为栅极-发射极阈值电压。 (2)栅极-发射极漏电流IGES测试: 集电极-发射极间短路;由电压源对被测器件施加规定的栅极-发射极电压,这时通过栅极 -发射极回路的电流即为栅极-发射极漏电流。 (3)集电极-发射极截止电流ICES测试:栅极-发射极短路;由电压源对被测器件施加规定的集电极-发射极电压,这时通过集电极-发射极回路的电流即为集电极-发射极截止电流。 (4)集电极-发射极饱和电压VCE(sat)测试:由电压源对被测器件施加规定幅值和脉宽的栅极电压;调节集电极-发射极电流至规定值,这时相对栅极脉冲稳定部分的集电极-发射极电压即为集电极-发射极饱和电压值。 (5)开通时间ton测试:由电压源对被测器件施加规定幅值、脉宽及上升率的栅极电压;调节集电极电流至规定幅值,开通时间是指开通延迟时间与集电极电流上升时间之和。 (6)关断时间toff测试:关断时间测试包含阻性负载和感性负载的测试。在相应...
