供应QM200DY-2H(24)(B)三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM200DY-2H(24)(B) 200A/1000V（1200V）/2U\t | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
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(1)栅极-发射极阈值电压VGE(TO)测试:由电压源对被测器件施加规定的集电极-发射极电压;从零开始逐渐增加栅极-发射极间的电压,当检测到集电极电流达到规定值时，此时的栅极电压值即为栅极-发射极阈值电压。(2)栅极-发射极漏电流IGES测试:
集电极-发射极间短路;由电压源对被测器件施加规定的栅极-发射极电压,这时通过栅极
-发射极回路的电流即为栅极-发射极漏电流。
(3)集电极-发射极截止电流ICES测试:栅极-发射极短路;由电压源对被测器件施加规定的集电极-发射极电压,这时通过集电极-发射极回路的电流即为集电极-发射极截止电流。
(4)集电极-发射极饱和电压VCE(sat)测试:由电压源对被测器件施加规定幅值和脉宽的栅极电压;调节集电极-发射极电流至规定值,这时相对栅极脉冲稳定部分的集电极-发射极电压即为集电极-发射极饱和电压值。
(5)开通时间ton测试:由电压源对被测器件施加规定幅值、脉宽及上升率的栅极电压;调节集电极电流至规定幅值,开通时间是指开通延迟时间与集电极电流上升时间之和。
(6)关断时间toff测试:关断时间测试包含阻性负载和感性负载的测试。在相应的阻性负载或感性负载条件下,对被测器件施加规定幅值和脉宽的栅极电压;调节集电极电流至规定值,然后施加规定幅值、脉宽及下降率的反向栅极电压,关断时间是指关断延迟时间与电流下降时间之和。
(7)恢复时间测试:用于测量IGBT上反向续流二极管的恢复时间。首先在二极管上施加规定幅值的电流,经过一定时间后施加一个反向电流使其关断，同时施加规定幅值的反向电压。
相似型号：
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供应QM100DY-2H(24)(B)三菱模块
信息内容：供应QM100DY-2H(24)(B)三菱模块 检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法 1、 判断极性 首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。 2、 判断好坏 将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。 3、 注意事项 任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏 相似型...
供应三菱模块QM300DY-2H（24）（B）
信息内容：供应三菱模块QM300DY-2H（24）（B） IGBT判断极性 首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。 在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。 相似型号： QM15DX-2H(24) 30A/1000V（1200V）/2U QM200DY1-24 200A/1200V/2U QM30DY-2H(24) 30A/1000V（1200V）/2U QM300DY-2H（24）（B）300A/1000V/（1200V）/2U QM50DY-2H(24)(B) 50A/1000V（1200V）/2U QM10E3Y-2HB 10A/1000V/2U QM75DY-2H(24)(B) 75A/1000V（1200V）/2U
