供应QM50HA-H(HB)三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM50HA-H(HB) | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应QM50HA-H(HB)三菱模块
2P系列NPT—IGBT模块的特点FUJIP系列IGBT采用NPT工艺制造，比PT(PunchThrough)IGBT有更多的优越性，特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、电焊电源等领域，其显著特点如下：
(1)电流额定值是在Tc=800℃时标出的。
(2)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比，易于并联。
(3)开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当结温升高时，其开关损耗比PT-IGBT增加的少，因此P系列模块更适合高频应用。
(4)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。
(5)P系列中，尤其是1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区，反偏安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大地简化，同时，短路承受能力也大大提高。
(6)低损耗、软开关，它的dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。
目前，IGBT已发展到第四代;西门子/EUPEC已可提供电流从10A～2.4kA，电压范围为600V～3.3kV的IGBT模块，以1.2kA/3.3kVIGBT为例，其栅极发射极电压仅为15V，触发功率低、关断损耗小、di/dt.du/dt都得到有效的控制。
相似型号：
QM50HE(HG)-H 50A/600V/1U QM300HA-H(HB) 300A/600V/1UQM50HC-HE 50A/600V/1U QM300HH-H 300A/600V/1U
QM50HA-H(HB) 50A/600V/1U QM400HA-H 400A/600V/1U
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QM75HA-H 75A/600V/1U QM600HD-M 600A/400V/1U
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供应三菱模块QM50HC-HE
信息内容：供应三菱模块QM50HC-HE 智能MOS栅IGBT模块化 由于IGBT高频性能的改进，可将驱动电路、保护电路和故障诊断电路集成在一起，制成智能功率模块，一般情况下采用电压触发。 通过采用大规模集成电路的精细制作工艺并对器件的少数载流子寿命进行控制，新一代功率IGBT芯片已问世。第三代IGBT与代产品相比，在断态下降时间及饱和电压特性上均有较大的提高。 IGBT是双极型晶体管(BJT)和MOSFET的复合器件，其将BJT的电导调制效应引入到VDMOS的高阻漂移区，大大改善了器件的导通性，同时它还具有MOSFET的栅极高输入阻抗，为电压驱动器件。开通和关断时均具有较宽的安全工作区，IGBT所能应用的范围基本上替代了传统的晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)等器件。 相似型号： 型号（1单元600V）GTR技术指标 型号（1单元600V）GTR 技术指标 QM15HA-H 15A/600V/1U QM150HY-H 150A/600V/1U QM20HA-HB 20A/600V/1U QM200HA-H 200A/600V/1U QM30HA-H(HB) 30A/600V/1U QM200HH-H 200A/600V/1U QM50HE(HG)-H 50A/600V/1U QM300HA-H(HB) 300A/600V/1U QM50HC-HE 50A/600V/1U QM300HH-H 300A/600V/1U
供应三菱模块QM30TB-24（24B）
信息内容：供应三菱模块QM30TB-24（24B） 导通 IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 空穴电流(双极)。 相似型号： 型号（6U 1000/1200V）GTR技术指标 型号（6U 1000/1200V）GTR技术指标 QM15TB-2H（2HB）15A/1000V（1200V）/6U QM30TB-2H（2HB）30A/1000V/6U QM15TB-24（24B）15A/1200V/6U QM50TB-2H（2HB）50A/1000V/6U QM30TB-24（24B）30A/1200V/6U QM50TB-24（24B）50A/12000V/6U
