供应三菱模块QM75E1Y-H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM75E1Y-H | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块QM75E1Y-H
IGBT关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高;交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。
鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。
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供应三菱模块QM500HA-H
信息内容：供应三菱模块QM500HA-H IGBT模块的使用应特别注意以下几方面的问题。 4.1防静电对策 IGBT的VGE保证值为±20V，在IGBT模块上加上超出保证值的电压有损坏的危险，因而在栅极-发射极之间接一只10kQ左右的电阻器为宜。 4.2驱动电路设计 严格地说，能否充分利用IGBT器件的性能，关键取决于驱动电路的设计。IGBT驱动电路必须能提供适当的正向栅压、足够的反向栅压、足够的输入输出电隔离能力,以及具有栅压限幅电路等。 4.3保护电路的设计 IGBT模块因过电流、过电压等异常现象有可能损坏。因此，必须在对器件的特性充分了解的情况下，设计出与器件特性相匹配的过电压、过电流、过热等保护电路。 4.4散热设计 取决于IGBT模块所允许的结温(Tj),在该温度下，首先要计算出器件产生的损耗，该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。在散热设计不充分的场合，实际运行在中等水平时，也有可能超过器件允许温度而导致器件损坏。 4.5栅极串联电阻(Rc) 对IGBT来说，增大栅极电阻能够减少IGBT开通时续流二极管的反向恢复过电压，减少通态下出现短路的冲击电流值;与此同时，增大栅极...
供应QM50HA-H(HB)三菱模块
信息内容：供应QM50HA-H(HB)三菱模块 2P系列NPT—IGBT模块的特点 FUJIP系列IGBT采用NPT工艺制造，比PT(PunchThrough)IGBT有更多的优越性，特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、电焊电源等领域，其显著特点如下： (1)电流额定值是在Tc=800℃时标出的。 (2)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比，易于并联。 (3)开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当结温升高时，其开关损耗比PT-IGBT增加的少，因此P系列模块更适合高频应用。 (4)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。 (5)P系列中，尤其是1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区，反偏安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大地简化，同时，短路承受能力也大大提高。 (6)低损耗、软开关，它的dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。 目前，IGBT已发展到第四代;西门子/EUPEC已可提供电流从10A～2.4kA，电压范围为600V～3.3kV的IGBT模块，以1.2kA/3.3kVIGBT为例，其栅极发射极电压仅为15V，触发功率低、关断损耗小、di/dt.du/dt都得到有效的控制...
