单向可控硅, 40TPS12APBF
| 价 格： | 160.00 |
品牌:ADV美国先进半导体 型号:40TPS12 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1200（V） 夹断电压:1200（V） 低频跨导:1200（μS） 极间电容:1200（pF） 低频噪声系数:1200（dB） 漏极电流:12（mA） 耗散功率:12（mW）
dzsc/17/4411/17441187.jpg
柜台现货
深圳市福田区赛格电子市场耀利达电子经营部
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏妙旋
- 电话：0755-25321872
- 传真：0755-25321872
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
晶体管和MOS场效应晶体管FQPF80N06
信息内容：品牌:仙童 型号:FQPF80N06 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:80（V） 夹断电压:80（V） 低频跨导:80（μS） 极间电容:80（pF） 低频噪声系数:6（dB） 漏极电流:6（mA） 耗散功率:6（mW）dzsc/17/5059/17505997.jpg柜台现货
批发供应02N60高反压三极管
信息内容：品牌:台产 型号:02N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:NF/音频(低频) 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60（V） 夹断电压:60（V） 低频跨导:60（μS） 极间电容:60（pF） 低频噪声系数:60（dB） 漏极电流:2（mA） 耗散功率:2（mW）dzsc/17/5091/17509156.jpg柜台现货
