供应三菱模块QM300HC-M
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM300HC-M 300A/350V/1U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块QM300HC-M
使用IGBT模块使用中应注意的问题IGBT的结构与MOSFET类似，从等效电路和工作机理来说，可以认为IGBT是MOS输入的达林顿晶体管，其输入级是MOSFET，输出级是PNP晶体管。IGBT模块的使用应特别注意以下几方面的问题。
1防静电对策
IGBT的VGE保证值为±20V，在IGBT模块上加上超出保证值的电压有损坏的危险，因而在栅极-发射极之间接一只10kQ左右的电阻器为宜。
2驱动电路设计
严格地说，能否充分利用IGBT器件的性能，关键取决于驱动电路的设计。IGBT驱动电路必须能提供适当的正向栅压、足够的反向栅压、足够的输入输出电隔离能力,以及具有栅压限幅电路等。
3保护电路的设计
IGBT模块因过电流、过电压等异常现象有可能损坏。因此，必须在对器件的特性充分了解的情况下，设计出与器件特性相匹配的过电压、过电流、过热等保护电路。
4散热设计
取决于IGBT模块所允许的结温(Tj),在该温度下，首先要计算出器件产生的损耗，该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。在散热设计不充分的场合，实际运行在中等水平时，也有可能超过器件允许温度而导致器件损坏。
5栅极串联电阻(Rc)
对IGBT来说，增大栅极电阻能够减少IGBT开通时续流二极管的反向恢复过电压，减少通态下出现短路的冲击电流值;与此同时，增大栅极电阻的结果将使开通关断损耗增加，延长开通和关断时间。因此的办法是配置两个串联电阻器，即RG(on)和RG(off)，在实际设计时应考虑具体的应用要求。如在高压二极管的情况下，恢复时间趋长，RG(on)应比产品目录的推荐值大2倍～4倍。
相似型号：
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供应QM100HY-H三菱模块
信息内容：供应QM100HY-H三菱模块 IGBT高压化 1993年，德国EUPEC公司(欧洲电力电子公司)推出3.2kV/1.3kA的IGBT模块，但它是用多个IGBT芯片串联加并联组成的。只能说是高压化发展的一种尝试。人们曾认为IGBT耐压不会突破2kV，是因为1.2kV以下的IGBT都是用高阻外延硅片制成的，电压要达到1.5kV，外延层厚度就要超过180μm，几乎是不能实用化的。 1996年，日本东芝公司推出了2.5kV/1kA的IGBT，具有同大功率晶闸管、GTO管相同的平板压接式封装结构。它突破了外延片的制约，采用(110)晶面的高阻单晶硅片制造，硅片厚度超过300μm，有了足够的机械强度。 1998年，耐压4.5kV的单管IGBT开发出来，但是，要想制作单管大电流IGBT是不可能的。在IGBT的制造过程中要做十几次精细的光刻套刻，经过相应次数的高温加工，图形大到一定程度，合格率会急剧下降，甚至为零。所以，制造大功率IGBT，必然是要并联的。 东芝公司生产的2.5kV/1kAIGBT，是由24个2.5kV/80A的IGBT芯片并联而成的，还有16个2.5kV/100A的超快恢复二极管(FRED)芯片与之反并联(续流二极管)。实现单串多并结构是IGBT走向大功率化的必由之路。采用NPT结构是IGBT自如并联的必要条件。 ...
供应QM200HC-M三菱模块
信息内容：供应QM200HC-M三菱模块 保持了MOSFET作为单极型半导体器件的一系列优点: a. 在很宽的工作电流范围内具有正电阻温度系数。这对于消除双极型功率器件中不可避免隐藏的“束流效应”和由此带来的许多不安全隐患(如双极晶体管中的二次击穿)，具有极其重大的实用价值。 b. 其反向恢复过程相对于双极型器件来具有超快、超软、超稳定的特点。这不仅有利于缩短装置中必须考虑的“死区时间”，而且有利于串并联运行。 c.开关速度快得多，达到纳秒量级。 相似型号： QM50HA-H(HB) 50A/600V/1U QM400HA-H 400A/600V/1U QM50HB-H 50A/600V/1U QM 500HA-H 500A/600V/1U QM75HA-H 75A/600V/1U QM600HD-M 600A/400V/1U QM100HA-H 100A/600V/1U QM100HC-M 100A/350V/1U QM75E1Y-H 75A/600V/1U QM200HC-M 200A/350V/1U QM100HY-H 100A/600V/1U QM300HC-M 300A/350V/1U
