晶振，石英晶振， 西铁城晶振
| 价 格： | 0.02 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌： | 西铁城晶振 | |
| 型号： | 西铁城晶振 | |
| 种类： | 晶振 | |
| 调整频差： | 232（MHz） | |
| 温度频差： | 32（MHz） | |
| 总频差： | 32（MHz） | |
| 负载电容： | 3232（pF） | |
| 负载谐振电阻： | 323（Ω） | |
| 激励电平： | 23（mW） | |
| 基准温度： | 23（℃） | |
| 插入损耗： | 232（dB） | |
| 阻带衰减： | 32（dB） | |
| 输入阻抗： | 2（kΩ） | |
| 输出阻抗： | 22（kΩ） |
这就对反相放大器的gm的大小提出了要求. 分析了gm,的极大值和极小值, gm只有取中间值, 得到的等效负阻的尽对值才大于表晶的串联电阻, 才能够维持晶体的振荡.
设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时gm必须落在竖线左边的半圆上. 竖线与半圆的两个交点分别是gm的值和最小值.
3 电路设计及仿真
实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是必须留意的.
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信息内容：摘要：石英振荡电路的形式很多，但基本电路只有两类：并联晶体振荡器和串联晶体振荡器。前者石英晶体是以并联谐振的形式出现，而后者则是以串联谐振的形式出现。石英振荡电路卞要由IC、石英谐振器XTAL.电阻.PCB等组成，下面对各组成部分做简单说明：1：IC可根据使用的需要任意选用，如CMOS反向器IC；专用振荡IC；大规模的数字IC中自卑石英振荡。 2：负载特性振荡电路，具有一个负阻特性，振荡电路负阻值鼻血大于3倍的CRTSTAL电阻值，振荡电路才可以稳定的振荡； 3：电容可根据用户的需要选用片式或传统结构的产品，但是应注意选择适用于高频的，低损耗的，选用NPO系列的温度系数产品。电阻在选择尺寸的同时需注意功耗的满足。 4：PCB注意能满足高频的使用场合和注意尽量降低线路的分布参数，大面积接地和一点式接地方案的采纳。有必要的时候应注意EMI的防护。 5：石英谐振器XTAL频率大于1MHZ的谐振器应选用ATMODE，可根据用户的需要选择合适的外形尺寸和封装的晶体。主要电性指标：FL,ESR的CLOCK需要选用FL及公差，并按Cg/Cd值，计算而得CL=(Cg*Cd/Cg Cd) Cs(Cs:线路分布杂散电容）。 6：ESR单位欧姆，工作温度范围的频率公差争取的选取Cg/Cd值将有利于振荡电路的工作稳定...
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信息内容：设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时gm必须落在竖线左边的半圆上. 竖线与半圆的两个交点分别是gm的值和最小值.3 电路设计及仿真实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是必须留意的.前面已经用Matlab计算出了gm的和最小值是分别如图5所示的14.5uS和0.7uS,电路中反相器的gm值必须在这两个值之间才能保证正常振荡. 因此MOS管选取了较小的宽长比以达到gm的要求.通过CadenceSpectre进行电路仿真得到的gm在各个corner下从6.3us到3.2u.s之间,满足要求.
