价 格: | 0.07 | |
加工定制: | 否 | |
品牌: | 进口晶振 | |
型号: | 进口晶振 | |
种类: | 晶振 | |
标称频率: | 797(MHz) | |
调整频差: | 8789(MHz) | |
温度频差: | 789(MHz) | |
总频差: | 78(MHz) | |
负载电容: | 978(pF) | |
负载谐振电阻: | 97(Ω) | |
激励电平: | 78(mW) | |
基准温度: | 7(℃) | |
插入损耗: | 878(dB) | |
阻带衰减: | 78(dB) | |
输入阻抗: | 78(kΩ) | |
输出阻抗: | 78(kΩ) |
摘要:石英振荡电路的形式很多,但基本电路只有两类:并联晶体振荡器和串联晶体振荡器。前者石英晶体是以并联谐振的形式出现,而后者则是以串联谐振的形式出现。石英振荡电路卞要由IC、石英谐振器XTAL.电阻.PCB等组成,下面对各组成部分做简单说明:
1:IC
可根据使用的需要任意选用,如CMOS反向器IC;专用振荡IC;大规模的数字IC中自卑石英振荡。
2:负载特性
振荡电路,具有一个负阻特性,振荡电路负阻值鼻血大于3倍的CRTSTAL电阻值,振荡电路才可以稳定的振荡;
3:电容
可根据用户的需要选用片式或传统结构的产品,但是应注意选择适用于高频的,低损耗的,选用NPO系列的温度系数产品。电阻在选择尺寸的同时需注意功耗的满足。
4:PCB
注意能满足高频的使用场合和注意尽量降低线路的分布参数,大面积接地和一点式接地方案的采纳。有必要的时候应注意EMI的防护。
5:石英谐振器XTAL
频率大于1MHZ的谐振器应选用ATMODE,可根据用户的需要选择合适的外形尺寸和封装的晶体。主要电性指标:FL,ESR的CLOCK需要选用FL及公差,并按Cg/Cd值,计算而得CL=(Cg*Cd/Cg Cd) Cs(Cs:线路分布杂散电容)。
6:ESR
单位欧姆,工作温度范围的频率公差
争取的选取Cg/Cd值将有利于振荡电路的工作稳定,并能使振荡频率满足使用的CLK要求。其选取的步骤如下:
(1)首先应按照-R的需要选择Cg/Cd,在满足TS的情况下应尽量小些,保持较高的 -R以保证振荡的稳定性,当无法满足-R要求时应考虑对IC的特性重新评价,选择。
(2)Rf值选取:取用的XTAL为基本波的时候,Rf选用1M欧姆;3RD模式的XTAL时须考虑截止频率必须界于基频与3RD的中间以保证3RD工作正常为原则,通常Rf阻值在2-15K欧姆之间。
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设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时gm必须落在竖线左边的半圆上. 竖线与半圆的两个交点分别是gm的值和最小值.3 电路设计及仿真实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是必须留意的.前面已经用Matlab计算出了gm的和最小值是分别如图5所示的14.5uS和0.7uS,电路中反相器的gm值必须在这两个值之间才能保证正常振荡. 因此MOS管选取了较小的宽长比以达到gm的要求.通过CadenceSpectre进行电路仿真得到的gm在各个corner下从6.3us到3.2u.s之间,满足要求.
该系列VCXO的工作频率点是12.8MHz、13MHz、14.5MHz和15.36MHz,频率温度特性±2.5ppm/-30~+75℃,频率电压特性±0.3ppm/5V±5%,老化特性±1ppm/年,内部采用SMD/SMC,并采用激光束和汽相点焊方式封装,高度为4mm。日本富士电气化学公司开发的个人手持电话系统(PHS)等移动通信用VCXO,共有两大类六个系列,为适应SMT要求,全部采用SMD封装。Saronix的S1318型、Vectron国际公司的J型、Champion技术公司的K1526型和Fordahi公司的DFVS1-KH/LH等VCXO,均是表面贴装器件,电源电压为3.3V或5V,可覆盖的频率范围或频率分别为3http://www.hktddj.com2~120MHz、155MHz、2~40MHz和1-50MHz,