石英晶体，石英晶体，晶振，陶瓷晶振
| 价 格： | 0.14 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌： | 陶瓷晶振 | |
| 型号： | 陶瓷晶振 | |
| 种类： | 晶振 | |
| 标称频率： | 1（MHz） | |
| 调整频差： | 45（MHz） | |
| 温度频差： | 5（MHz） | |
| 总频差： | 4（MHz） | |
| 负载电容： | 4（pF） | |
| 负载谐振电阻： | 544（Ω） | |
| 激励电平： | 1（mW） | |
| 基准温度： | 2（℃） | |
| 插入损耗： | 4（dB） | |
| 阻带衰减： | 4（dB） | |
| 输入阻抗： | 4（kΩ） | |
| 输出阻抗： | 5（kΩ） |
该系列VCXO的工作频率点是12.8MHz、13MHz、14.5MHz和15.36MHz，
频率温度特性±2.5ppm/－30～＋75℃，频率电压特性±0.3ppm/5V±5％，
老化特性±1ppm/年，内部采用SMD/SMC，并采用激光束和汽相点焊方式封装，
高度为4mm。日本富士电气化学公司开发的个人手持电话系统（PHS）
等移动通信用VCXO，共有两大类六个系列，为适应SMT要求，
全部采用SMD封装。Saronix的S1318型、Vectron国际公司的J型、
Champion技术公司的K1526型和Fordahi公司的DFVS1－KH/LH等VCXO，
均是表面贴装器件，电源电压为3.3V或5V，
可覆盖的频率范围或频率分别为3http://www.hktddj.com2～120MHz、155MHz、2～40MHz和1－50MHz，
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晶振，石英晶振，腾达晶振，KDS晶振
信息内容：1 电路结构如图1 所示是晶振的整体电路.R1为反相器invl提供偏置,使其中的MOS管工作在饱和区以获得较大的增益;C1,C2和杂散电容一起构成晶体的电容负载, 同时它们和反相器invl一起可以等效为一负阻, 为晶体提供其振荡所需要的能量; R2用来降低对晶体的驱动能量, 以防止晶体振坏或出现异常; 反相器inv2对invl的输出波形整形并驱动负载.图2 所示为晶体的等效电路,Cp是晶体两个引脚间的电容, 对于不同的晶体, 其值在2~ 5pf之间; Rs是晶体的等效串连电阻, 其值表示晶体的损失;Cs和Ls分别为晶体的等效串连电容和电感, 这两个值决定了晶体的振荡频率."
石英晶体，晶体谐振器，晶振，KDS晶振
信息内容：设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时gm必须落在竖线左边的半圆上. 竖线与半圆的两个交点分别是gm的值和最小值.3 电路设计及仿真实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是必须留意的.前面已经用Matlab计算出了gm的和最小值是分别如图5所示的14.5uS和0.7uS,电路中反相器的gm值必须在这两个值之间才能保证正常振荡. 因此MOS管选取了较小的宽长比以达到gm的要求.通过CadenceSpectre进行电路仿真得到的gm在各个corner下从6.3us到3.2u.s之间,满足要求.
