价 格: | 面议 | |
型号/规格: | OF3225 | |
品牌/商标: | 台达 | |
主要用途: | 精密电子仪器仪表 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片 |
OF4025
频率:32.768KHz
封装:4.0×2.5×
工作电压:+1.3V~5.5V
输出波形:CMOS
频率精度:(+5 ±20)ppm (Vdd=+3.3V,
温度稳定度:(-120℃~+
负载电容:15pF
输出电平:VOL 4.0V max / VOH(VDD-0.4V)min (CL=15pF,
存储温度:-55℃~
OF2520
频率:0.750MHz~50.000MHz
封装:2.5×2.0×
工作电压:+3.3V ±5%;+3.0V ±5%;+1.8V ±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度:±30(-20℃~+
负载电容:15pF
输出电平:VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率:±3ppm/year Max
存储温度:-55℃~
OF3225
频率:0.75MHz~75.00MHz
封装:3.2×2.5×
工作电压:+3.3V ±5%;+2.5V ±5%;+1.8V ±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm~±50ppm
负载电容:15pF ;or Specify
输出电平:VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率:±3ppm/year Max
存储温度:-55℃~
OF3225
频率:0.5MHz~45.0MHz
封装:3.2×2.5×
工作电压:+3.3V 、 +2.7V 、 +5.0VDC±10%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±10ppm;±15ppm
负载电容:15pF Max
输出电平:VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率:±2ppm/year Max
存储温度:-40℃~
OF5032
频率:0.5MHz~125.0MHz
封装:5.0×3.2×
工作电压:+3.3V 、 +1.8V±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm;±50ppm; ±100ppm
负载电容:15pF Max
输出电平:VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率:±3ppm/year Max
存储温度:-55℃~
OF5032
频率:10MHz~168.0MHz
封装:5.0×3.2×
工作电压:+3.3V 、 +1.8V±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm;±50ppm; ±100ppm
负载电容:15Pf Max
输出电平:VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率:±3ppm/year Max
存储温度:-55℃~
OF7050
频率:6MHz~200.0MHz
封装:7.0×5.0×
工作电压:+3.3V or Specify
输出波形:P:PECL
温度稳定度: ±25ppm;±50ppm; ±100ppm
负载电容:15pF
老化率:±5ppm/year
存储温度:-55℃~
OS7550
频率:19.44MHz~320.0MHz
封装:7.5×5.0×
工作电压:+3.3V +2.5V
输出波形:P:PECL、LVDS
温度稳定度: (-20℃~+
负载电容:100pF
老化率:±5ppm/year
存储温度:-55℃~
OS7550
频率:100MHz~700.0MHz
封装:7.5×5.0×
工作电压:+3.3V +2.5V
输出波形:P:PECL
温度稳定度: (-20℃~+
负载电容:50pF
老化率:±5ppm/year
存储温度:-55℃~
OF1281
频率:1MHz~125.0MHz
封装:12.8×12.8×
工作电压:+5V±5% +3.3V±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm ±50ppm ±100ppm
负载电容:15pF(*30pF)
老化率:±3ppm/year
存储温度:-55℃~
OF2041
频率:1MHz~125MHz
封装:20.4×12.8×
工作电压:+5V±5% +3.3V±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm ±50ppm ±100ppm
负载电容:15Pf(*30Pf)
老化率:±3ppm/year
存储温度:-55℃~
OF2041
频率:1MHz~70.0MHz
封装:20.4×12.8×
工作电压:+5V±5% +3.3V±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm ±50ppm ±100ppm
负载电容:15Pf(*30Pf)
老化率:±3ppm/year
存储温度:-55℃~
OF2542 频率:5MHz~40.0MHz 封装:25.4×25.4×15.0mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.01ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.1ppm/year(年),±0.35ppm(10年) 存储温度:-40℃~100℃ OS2542 频率:5MHz~40.0MHz 封装:25.4×22.1×15.3mm 频率精度:±0.03ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.02ppm 输出负载:15pF 老化率:±0.01ppm/year(30天),±0.35ppm(10年) 存储温度:-40℃~+100℃ OF3632 频率:5MHz~80.0MHz 封装:36.3×27.2×19.1mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.02ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.3ppm(10年) 存储温度:-40℃~+100℃ OF5085 频率:5MHz~80.0MHz 封装:50.8×50.8×26.2mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.005ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.15ppm(10年) 存储温度:-40℃~+...
频率:32.768KHz 封装:3.0×1.5×1.3mm SMD 工作电压:+1.3V~5.5V 输出波形:CMOS 频率精度:(+5 ±20)ppm (Vdd=+3.3V,25℃) 温度稳定度:(-120℃~+10℃)ppm (at -20℃~+70℃ as the reference) 负载电容:15pF 输出电平:VOL 4.0V max / VOH(VDD-0.4V)min (CL=15pF,25℃) 存储温度:-55℃~125℃ 品质:无铅环保 定做方法:用户可以提出相应的参数和指标定做,例如:封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。 本公司以"信誉,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系!欢迎您的来电垂询.