OF2542
频率:5MHz~40.0MHz
封装:25.4×25.4×
频率精度:±0.02ppm(at
工作电压:+5V +3.3V
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
输出负载:50Ω
老化率:±0.1ppm/year(年),±0.35ppm(10年)
存储温度:-40℃~
OS2542
频率:5MHz~40.0MHz
封装:25.4×22.1×
频率精度:±0.03ppm(at
工作电压:+5V +3.3V
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
输出负载:15pF
老化率:±0.01ppm/year(30天),±0.35ppm(10年)
存储温度:-40℃~+
OF3632
频率:5MHz~80.0MHz
封装:36.3×27.2×
频率精度:±0.02ppm(at
工作电压:+5V +3.3V
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
输出负载:50Ω
老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.3ppm(10年)
存储温度:-40℃~+
OF5085
频率:5MHz~80.0MHz
封装:50.8×50.8×
频率精度:±0.02ppm(at
工作电压:+5V +3.3V
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
输出负载:50Ω
老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.15ppm(10年)
存储温度:-40℃~+
OF2062
频率:5MHz~40.0MHz
封装:20.6×12.8×
频率精度:±0.2ppm(at
工作电压:+5V +3.3V
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
输出负载:15pF
老化率:±0.5ppm/year(年),±3ppm(10年)
存储温度:-40℃~+
定做方法:用户可以提出相应的参数和指标定做,例如:封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。
本公司以"信誉,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系!欢迎您的来电垂询.
QQ:499511163
频率:32.768KHz 封装:3.0×1.5×1.3mm SMD 工作电压:+1.3V~5.5V 输出波形:CMOS 频率精度:(+5 ±20)ppm (Vdd=+3.3V,25℃) 温度稳定度:(-120℃~+10℃)ppm (at -20℃~+70℃ as the reference) 负载电容:15pF 输出电平:VOL 4.0V max / VOH(VDD-0.4V)min (CL=15pF,25℃) 存储温度:-55℃~125℃ 品质:无铅环保 定做方法:用户可以提出相应的参数和指标定做,例如:封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。 本公司以"信誉,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系!欢迎您的来电垂询.
OF2542 频率:5MHz~40.0MHz 封装:25.4×25.4×15.0mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.01ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.1ppm/year(年),±0.35ppm(10年) 存储温度:-40℃~100℃ OS2542 频率:5MHz~40.0MHz 封装:25.4×22.1×15.3mm 频率精度:±0.03ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.02ppm 输出负载:15pF 老化率:±0.01ppm/year(30天),±0.35ppm(10年) 存储温度:-40℃~+100℃ OF3632 频率:5MHz~80.0MHz 封装:36.3×27.2×19.1mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.02ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.3ppm(10年) 存储温度:-40℃~+100℃ OF5085 频率:5MHz~80.0MHz 封装:50.8×50.8×26.2mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.005ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.15ppm(10年) 存储温度:-40℃~+...