价 格: | 1.00 | |
品牌: | AEI英国联合电子 | |
型号: | S8550 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
材料: | GE-P-FET锗P沟道 | |
开启电压: | 213(V) | |
夹断电压: | 23(V) | |
低频跨导: | 4(μS) | |
极间电容: | 567(pF) | |
低频噪声系数: | 8(dB) | |
漏极电流: | 9(mA) | |
耗散功率: | 89(mW) |
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