品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF3205S |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-FBM/全桥组件 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 55(V) | 夹断电压 | 5(V) |
跨导 | 0.05(μS) | 极间电容 | 211(pF) |
低频噪声系数 | 40(dB) | 漏极电流 | 62000(mA) |
耗散功率 | 750(mW) |
品牌/商标 HT 型号/规格 HT46R47 批号 0908 封装 DIP-18 营销方式 现货 产品性质 热销 处理信号 数模混合信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 集成程度 中规模 规格尺寸 30*70(mm) 工作温度 -40~125(℃) 静态功耗 20(mW) 类型 单片机
品牌/商标 TOSHIBA/长电 型号/规格 2SC2712 应用范围 放大 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 sot-23 封装材料 树脂封装 截止频率fT 50(MHz) 集电极允许电流ICM 100m(A) 集电极耗散功率PCM 220m(W) dzsc/18/5658/18565877.jpg特价现货供应 三极管2SC2712SHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)2SC2712Audio Frequency General Purpose Amplifier ApplicationsHigh voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max)Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/ hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (t...