三极管BUZ41，货源充足欢迎来电
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | HIT | 型号/规格 | BUZ41 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列三极管
汕头达洲电子专营场效应，达林顿，肖特基，快恢复，可控硅，电阻管，温度开关管等一系列电子元件。欢迎来电0754-84495862 13433310448 QQ1242085409 412306774联系洽谈!
| 2SK1793 | NIP | N/A | TO-220 |
| 2SK1805 | 东芝 | N/A | TO-220 |
| 2SK1808 | 日立 | N/A | TO-220 |
| 2SK1818 | 富士通 | N/A | T0-220 |
| 2SK1819 | 富士通 | N/A | TO-220 |
| 2SK1821 | 富士通 | N/A | TO-220 |
| 2SK1822 | 富士通 | N/A | TO-220 |
| 2SK1913 | 东芝 | N/A | TO-220 |
| 2SK1917 | 富士通 | N/A | TO-220 |
| 2SK1924 | SANYO | N/A | TO-220 |
| 2SK1943 | 富士通 | N/A | T0-220 |
| 2SK1946 | 富士通 | N/A | TO-220 |
| 2SK1957 | HIT | N/A | T0-220 |
| 2SK1981 | 富士通 | N/A | T0-220 |
| 2SK1982 | 富士通 | N/A | T0-220 |
| 2SK1983 | 富士通 | N/A | TO-220 |
| 2SK1984 | 富士通 | N/A | T0-220 |
| 2SK1985 | 富士通 | N/A | TO-220 |
| 2SK1986 | 富士通 | N/A | TO-220 |
| 2SK1990 | NEC | N/A | T0-220 |
| 2SK1991 | NEC | N/A | TO-220 |
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王钟禄
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MOS场效应管IRFZ44N
信息内容：品牌/商标 TOSHIBAIBA 型号/规格 IRFZ44N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管IRFD020型号:IRFD020 ??封装:HD-1 ??备注:N沟 ??说明:50V 2.4A 1W ??IRFD110型号:IRFD110 ??封装:HD-1 ??备注:N沟 ??说明:100V 1A 1.3W ??IRFD120型号:IRFD120 ??封装:HD-1 ??备注:N沟 ??说明:100V 1.3A 1.3W ??IRFD210型号:IRFD210 ??封装:HD-1 ??备注...
大量MOS场效应管STP3N60
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 STP3N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
