MOS场效应管IRFZ44N
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | TOSHIBAIBA | 型号/规格 | IRFZ44N |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列三极管
| IRFD020 |
| 型号:IRFD020 ??封装:HD-1 ??备注:N沟 ??说明:50V 2.4A 1W ?? |
| IRFD110 |
| 型号:IRFD110 ??封装:HD-1 ??备注:N沟 ??说明:100V 1A 1.3W ?? |
| IRFD120 |
| 型号:IRFD120 ??封装:HD-1 ??备注:N沟 ??说明:100V 1.3A 1.3W ?? |
| IRFD210 |
| 型号:IRFD210 ??封装:HD-1 ??备注:N沟 ??说明:200V 0.6A 1.3W ?? |
| IRFD220 |
| 型号:IRFD220 ??封装:HD-1 ??备注:N沟 ??说明:200V 0.8A 1.3W ?? |
| IRFD9020 |
| 型号:IRFD9020 ??封装:HD-1 ??备注:P沟 ??说明:50V 1.6A 1.3W ?? |
| IRFD9024 |
| 型号:IRFD9024 ??封装:HD-1 ??备注:P沟 ??说明:60V 1.6A 1.3W ?? |
| IRFD9120 |
| 型号:IRFD9120 ??封装:HD-1 ??备注:P沟 ??说明:100V 1A 1.3W ?? |
| IRFD9123 |
| 型号:IRFD9123 ??封装:HD-1 ??备注:P沟 ??说明:60V 0.8A 1.3W ?? |
| IRFD9210 |
| 型号:IRFD9210 ??封装:HD-1 ??备注:P沟 ??说明:200V 0.4A 1.3W ?? |
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大量MOS场效应管STP3N60
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 STP3N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
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信息内容：品牌/商标 仙童 型号/规格 SSS9N50 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列电子元件MT8965米德尔MT9085米德尔MT90840米德尔MT9079米德尔MT9075米德尔MT9076米德尔MT9042米德尔MT9094米德尔MT9074米德尔MT8981米德尔MT8971米德尔MT8930米德尔MT90820米德尔MT9041米德尔MT9092米德尔MT9044米德尔MT8976米德尔MT88V32米德尔MT8972米德尔MT8808...
