供应场效应管|索森美场效应管|索森美5N60参数
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSF5N60 | |
| 品牌/商标： | 韩国索森美 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
深圳市三资半导体实业有限公司供应场效应管索森美半导体厂家供应场效应管|索森美场效应管|索森美5N60|索森美5N60参数,供应场效应管索森美半导体2N60,5N60,8N60PDF资料: 场效应管：SOURCESEMI索森美：2N60/5N60/8N60技术支持! 供应场效应管|索森美场效应管|索森美5N60|索森美5N60参数。
功能介绍：
功率MOSEFT—5N60 4.5A，600V N沟道
5N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快
的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源，
DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
1、特征
· 4.5A，600V， RDS(on)=2.4Ω@Vgs=10V；
· 极低栅电荷，典型15nC；
·极低反向转换电容；典型6.5pF
· 快速开关能力；
· 增强的dV/di能力；
· 100%雪崩击穿测试；
· 封装型式：TO-220/220F
· 结温 150 ℃
三资半导体主要优势产品有SSF2N60、SSF5N60、SSF8N60、SSF10N60 SSF12N60、SPP20N60C3、CR6224T、CR6224S、CR6228T、CR6229T、CR6235S、CR6236T、CR6238T、CR6850S、CR6850T、PR9853T、PR9853S、PR8275、MBR10100、MBR10200、MBR10150、MBR20100、MBR20150、MBR20200、MBR30100、MBR30150、MBR30200.等。
产品广泛应用于：
＜1＞电源类产品：开关电源（如：充电器、逆变转换、转向灯、节能灯等）、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等
优势品牌：SOURCESEMI韩国索森美 MHCHXM海矽美 美国IPS CR/西安民展微FAIRCHILD IR ST TRUESEMI FAIRCARD POWER-RAIL PANJIT MOSPEC LT YS等
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 罗检凤
- 电话：0755-88876523
- 传真：0755-82782215
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场效应管2N60|索森美2N60|索森美SSF2N60
信息内容：深圳市三资半导体有限公司供应2N60|2N60|TO-220封装|场效应管2N60|索森美2N60|索森美SSF2N60|SSF2N60|SSF2N60样品|SSF2N60设计指导|SSF2N60设计方案|SSF2N60参数， 地址：深圳市福田区中航路国利大厦13楼（1310）销 SSF2N60产品参数： 型号:SSF2N60 封装:TO-220 主要参数: 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=1.0A） 应用领域: 节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器 产品功能： 功率MOSEFT—2N60 2A，600V N沟道 2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快 的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源， DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。 1、特征 · 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V； · 极低栅电荷，典型9nC； ·极低反向转换电容；典型5pF · 快速开关能力； · 增强的dV/di能力； · 100%雪崩击穿测试； · 封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252 · 结温 150 ℃ 产品图片：dzsc/18/5782/18578293.jpg 优势产品有SSF2N60、SSF5N60、SSF8N60、SSF10N60 SSF12N60、SPP20N60C3、...
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信息内容：深圳市三资半导体有限公司供应2N60|TO-220封装|场效应管2N60|索森美2N60参数2N60|2N60|TO-220封装|场效应管2N60|索森美2N60|索森美SSF2N60|SSF2N60|SSF2N60样品|SSF2N60设计指导|SSF2N60设计方案|SSF2N60参数， 地址：深圳市福田区中航路国利大厦13楼（1310）销售 SSF2N60产品参数：型号:SSF2N60 封装:TO-220 主要参数: 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=1.0A） 应用领域:节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器 产品图片： dzsc/18/5782/18578294.jpg 产品功能：功率MOSEFT—2N60 2A，600V N沟道 2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快 的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源， DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。 1、特征 · 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V； · 极低栅电荷，典型9nC； ·极低反向转换电容；典型5pF · 快速开关能力； · 增强的dV/di能力； · 100%雪崩击穿测试； · 封装型式：TO-220，TO...
