供应场效应管 STF23NM60N,23NM60N,STF23NM60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STF23NM60N,TO-220F,DIP/MOS,600V,19A | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:STF23NM60N
1.特点
* 100％的雪崩测试
* 低输入电容和闸电荷
* 低栅极输入电阻
2.应用
* 开关应用
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):19
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.18 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):2050 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：17
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):700
导通延迟时间Td(on)(ns):25 TYP.
上升时间Tr(ns):15 TYP.
关断延迟时间Td(off)(ns):90 TYP.
下降时间Tf(ns):36 TYP.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,19A N-沟道增强型场效应晶体管
此系列器件设计采用第二代MDmes技术。这一革命性的功率MOSFET联营公司的带布局的一个新的垂直结构，得出一个世界上的导通电阻和栅极电荷。因此，适用于最苛刻的高效率转换器。
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供应 场效应管 STP5NK50Z,P5NK50Z,STP5NK50
信息内容：产品型号:STP5NK50Z 特点： * 典型的RDS（ON）=1.22Ω * 极高dv/dt能力 * 100％的雪崩测试 * 栅极电荷最小化 * 非常低的固有电容 * 制造重复性非常好 说明 超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻 显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满 了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。 应用 * 大电流，高开关速度 * 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC * 照明 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):70 输入电容Ciss(PF):535 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：3.1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 上升时间Tr(ns):10 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):32 typ. 下降时间Tf(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产...
供应TOSHIBA场效应管 TK80E08K3 K80E08K3
信息内容：产品型号:TK80E08K3 应用: * 电动自行车 * UPS * 逆变器 特点: * 低漏-源极导通电阻:RDS（ON）=7.5mΩ（typ.） * 较强的正向传输导纳：|YFS| =135 S（typ.） * 低漏电流IDSS=10μA（值）（VDS= 75V） * 增强模式：VTH= 2.0--4.0 V（VDS= 10V，ID=1mA） 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):200 极间电容Ciss(PF):3600 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：135 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):107 温度(℃): -55 ~175 描述:75V,80A MOSFETs Silicon N-channel MOS (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
