供应TOSHIBA场效应管 TK80E08K3 K80E08K3
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK80E08K3\tTOSHIBA\tTO-220\t11NPB\tDIP/MOS\tN场\t75V\t80A\t9mΩ | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1K/盒 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:TK80E08K3
应用:
* 电动自行车
* UPS
* 逆变器
特点:
* 低漏-源极导通电阻:RDS（ON）=7.5mΩ（typ.）
* 较强的正向传输导纳：|YFS| =135 S（typ.）
* 低漏电流IDSS=10μA（值）（VDS= 75V）
* 增强模式：VTH= 2.0--4.0 V（VDS= 10V，ID=1mA）
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):200
极间电容Ciss(PF):3600
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：135
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):107
温度(℃): -55 ~175
描述:75V,80A MOSFETs Silicon N-channel MOS
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原装场效应管,KIA1N60,BLV1N60A,BLV1N60,1N60
信息内容：产品型号:KIA1N60 1.描述: KIA1N60H是N-沟道增强型硅栅功率MOSFET,专为高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，电磁阀，电机驱动器，继电器驱动器。 2。特点: * 1A，600V，RDS（ON）=11.5Ω@ VGS= 10 V * 低栅极电荷（typ.5.0nC） * 高耐用性 * 快速开关能力 * 指定的雪崩能量 * 改进dv/dt能力 封装:TO-92 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):0.3 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):11.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):1 输入电容Ciss(PF):120 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):33 导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ. 上升时间Tr(ns):21 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ. 下降时间Tf(ns):27 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,0.3A N-沟道增强型场效应晶体管 产品型号:BLV1N60 1.描述 这种先进的高电压MOSFET,采用上海贝岭的专有的DMOS技术。专为高效率开关模式电源。 2。特点 * 雪崩能量 * 快速开关 * 简单的驱动...
供应 场效应管 SiR472DP ,SiR468DP,R472,R468
信息内容：产品型号:SiR472DP 特点 * 无卤素 * TrenchFET功率MOSFET * 低热阻低1.07 mm外形的PowerPAK封装 * 优化的高侧同步整流的运作 * 100%的Rg测试 * 100%的UIS测试 应用 * 笔记本CPU核心 * 高边开关 封装:PowerPAK SO-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):29.8 输入电容Ciss(PF):820 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：52 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):24 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ. 下降时间Tf(ns):10 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,20A N-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/19/1184/19118405.jpg
