原装场效应管,KIA1N60,BLV1N60A,BLV1N60,1N60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BLV1N60A\t上海贝岭\tTO-92\tDIP/MOS\tN场\t600V\t1A\t15Ω | |
| 品牌/商标： | 上海贝岭 | |
| 封装形式： | TO-92 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1K/包 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:KIA1N60
1.描述:
KIA1N60H是N-沟道增强型硅栅功率MOSFET,专为高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，电磁阀，电机驱动器，继电器驱动器。
2。特点:
* 1A，600V，RDS（ON）=11.5Ω@ VGS= 10 V
* 低栅极电荷（typ.5.0nC）
* 高耐用性
* 快速开关能力
* 指定的雪崩能量
* 改进dv/dt能力
封装:TO-92
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):0.3
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):11.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):1
输入电容Ciss(PF):120 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):33
导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ.
上升时间Tr(ns):21 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ.
下降时间Tf(ns):27 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,0.3A N-沟道增强型场效应晶体管
产品型号:BLV1N60
1.描述
这种先进的高电压MOSFET,采用上海贝岭的专有的DMOS技术。专为高效率开关模式电源。
2。特点
* 雪崩能量
* 快速开关
* 简单的驱动要求
封装:TO-92
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):3
输入电容Ciss(PF):105 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):3.5
导通延迟时间Td(on)(ns):30
上升时间Tr(ns):60
关断延迟时间Td(off)(ns):45
下降时间Tf(ns):75
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
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供应 场效应管 SiR472DP ,SiR468DP,R472,R468
信息内容：产品型号:SiR472DP 特点 * 无卤素 * TrenchFET功率MOSFET * 低热阻低1.07 mm外形的PowerPAK封装 * 优化的高侧同步整流的运作 * 100%的Rg测试 * 100%的UIS测试 应用 * 笔记本CPU核心 * 高边开关 封装:PowerPAK SO-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):29.8 输入电容Ciss(PF):820 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：52 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):24 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ. 下降时间Tf(ns):10 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,20A N-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/19/1184/19118405.jpg
供应 场效应管 TPCA8060-H,TPCA8060
信息内容：产品型号:TPCA8060-H 1.应用: * 高效率的DC-DC转换器应用 * 笔记本电脑应用 * 移动设备的应用 2.特点: * 体积小,因小而薄的封装 * 高速开关 * 小闸极充电：QSW=17nC（typ.） * 低漏-源极导通电阻:RDS(ON)=2.8mΩ（typ.）（VGS= 4.5 V） * 高正向传输导纳：|YFS| =141S（typ.） * 低漏电流IDSS=10μA（值）（VDS=30 V） * 增强模式：VTH=1.3--2.3 V（VDS=10V，ID=1.0mA） 封装:PSOP-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0034 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):4600 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：141 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):263 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):5.1typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):52 typ. 下降时间Tf(ns):8.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,45A N-沟道增强型场效应晶体管
