供应 场效应管 STP5NK50Z,P5NK50Z,STP5NK50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STP5NK50Z,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,4.4A,1.5Ω | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:STP5NK50Z
特点：
* 典型的RDS（ON）=1.22Ω
* 极高dv/dt能力
* 100％的雪崩测试
* 栅极电荷最小化
* 非常低的固有电容
* 制造重复性非常好
说明
超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻
显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满
了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。
应用
* 大电流，高开关速度
* 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC
* 照明
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4.4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):70
输入电容Ciss(PF):535 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3.1
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):32 typ.
下降时间Tf(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应TOSHIBA场效应管 TK80E08K3 K80E08K3
信息内容：产品型号:TK80E08K3 应用: * 电动自行车 * UPS * 逆变器 特点: * 低漏-源极导通电阻:RDS（ON）=7.5mΩ（typ.） * 较强的正向传输导纳：|YFS| =135 S（typ.） * 低漏电流IDSS=10μA（值）（VDS= 75V） * 增强模式：VTH= 2.0--4.0 V（VDS= 10V，ID=1mA） 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):200 极间电容Ciss(PF):3600 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：135 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):107 温度(℃): -55 ~175 描述:75V,80A MOSFETs Silicon N-channel MOS (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
原装场效应管,KIA1N60,BLV1N60A,BLV1N60,1N60
信息内容：产品型号:KIA1N60 1.描述: KIA1N60H是N-沟道增强型硅栅功率MOSFET,专为高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，电磁阀，电机驱动器，继电器驱动器。 2。特点: * 1A，600V，RDS（ON）=11.5Ω@ VGS= 10 V * 低栅极电荷（typ.5.0nC） * 高耐用性 * 快速开关能力 * 指定的雪崩能量 * 改进dv/dt能力 封装:TO-92 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):0.3 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):11.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):1 输入电容Ciss(PF):120 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):33 导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ. 上升时间Tr(ns):21 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ. 下降时间Tf(ns):27 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,0.3A N-沟道增强型场效应晶体管 产品型号:BLV1N60 1.描述 这种先进的高电压MOSFET,采用上海贝岭的专有的DMOS技术。专为高效率开关模式电源。 2。特点 * 雪崩能量 * 快速开关 * 简单的驱动...
