供应 场效应管 2SK4103,K4103
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK4103,SOT-252,SMD/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
2SK4103,SOT-252,SMD/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω
产品型号:2SK4103 开关稳压器应用
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):550 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180
导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.
上升时间Tr(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK4003,K4003
信息内容：2SK4003,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,3A,2.2Ω 产品型号:2SK4003 切碎机稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):3 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):20 输入电容Ciss(PF):600 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):168 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):16 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ. 下降时间Tf(ns):18 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,3A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 CMD5N50,UTC830,TSD5N50,5N50
信息内容：MDD5N50TH，SOT-252，MagnaChip/美格纳，SMD/MOS，N场，500V，4.4A，1.4Ω CMD5N50，SOT-252，CMOSFET，SMD/MOS，N场，500V，4.5A，1.5Ω 产品型号:MDD5N50 1.概述 MDD5N50使用MagnaChip公司先进的MOSFET技术，可提供低导通电阻，高开 关性能和优良的品质。 MDD5N50是合适的设备，开关电源，HID和一般用途的应用。 2.应用 * 电源供应器 * PFC * 压载 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):70 输入电容Ciss(PF):500 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):230 导通延迟时间Td(on)(ns):12 TYP. 上升时间Tr(ns):24 TYP. 关断延迟时间Td(off)(ns):24 TYP. 下降时间Tf(ns):22 TYP. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:CMD5N50 1.概述 这...
