供应 场效应管 2SK4003,K4003
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK4003 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
2SK4003,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,3A,2.2Ω
产品型号:2SK4003 切碎机稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):3
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):20
输入电容Ciss(PF):600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):168
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ.
下降时间Tf(ns):18 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,3A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CMD5N50,UTC830,TSD5N50,5N50
信息内容：MDD5N50TH，SOT-252，MagnaChip/美格纳，SMD/MOS，N场，500V，4.4A，1.4Ω CMD5N50，SOT-252，CMOSFET，SMD/MOS，N场，500V，4.5A，1.5Ω 产品型号:MDD5N50 1.概述 MDD5N50使用MagnaChip公司先进的MOSFET技术，可提供低导通电阻，高开 关性能和优良的品质。 MDD5N50是合适的设备，开关电源，HID和一般用途的应用。 2.应用 * 电源供应器 * PFC * 压载 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):70 输入电容Ciss(PF):500 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):230 导通延迟时间Td(on)(ns):12 TYP. 上升时间Tr(ns):24 TYP. 关断延迟时间Td(off)(ns):24 TYP. 下降时间Tf(ns):22 TYP. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:CMD5N50 1.概述 这...
供应场效应管 STF23NM60N,23NM60N,STF23NM60
信息内容：产品型号:STF23NM60N 1.特点 * 100％的雪崩测试 * 低输入电容和闸电荷 * 低栅极输入电阻 2.应用 * 开关应用 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):19 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.18 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):2050 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：17 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):700 导通延迟时间Td(on)(ns):25 TYP. 上升时间Tr(ns):15 TYP. 关断延迟时间Td(off)(ns):90 TYP. 下降时间Tf(ns):36 TYP. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,19A N-沟道增强型场效应晶体管 此系列器件设计采用第二代MDmes技术。这一革命性的功率MOSFET联营公司的带布局的一个新的垂直结构，得出一个世界上的导通电阻和栅极电荷。因此，适用于最苛刻的高效率转换器。 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
