供应 场效应管 CMD5N50,UTC830,TSD5N50,5N50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CMD5N50 \tCmosfet\tSOT-252 \t500V \t4.5A \t1.5Ω | |
| 品牌/商标： | CMOSFET | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
MDD5N50TH，SOT-252，MagnaChip/美格纳，SMD/MOS，N场，500V，4.4A，1.4Ω
CMD5N50，SOT-252，CMOSFET，SMD/MOS，N场，500V，4.5A，1.5Ω
产品型号:MDD5N50
1.概述
MDD5N50使用MagnaChip公司先进的MOSFET技术，可提供低导通电阻，高开
关性能和优良的品质。
MDD5N50是合适的设备，开关电源，HID和一般用途的应用。
2.应用
* 电源供应器
* PFC
* 压载
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4.4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):70
输入电容Ciss(PF):500 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):230
导通延迟时间Td(on)(ns):12 TYP.
上升时间Tr(ns):24 TYP.
关断延迟时间Td(off)(ns):24 TYP.
下降时间Tf(ns):22 TYP.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
产品型号:CMD5N50
1.概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用了先进的技术，特别是针对已
限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和换向模式。这些器件非常适用于高效率开关模式电源，功率因数校正和电
子镇流器基于半桥。
2.应用
* 电源供应器
* PFC
* 压载
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):500
导通延迟时间Td(on)(ns):15 TYP.
上升时间Tr(ns):40 TYP.
关断延迟时间Td(off)(ns):85 TYP.
下降时间Tf(ns):45 TYP.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,4.5A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应场效应管 STF23NM60N,23NM60N,STF23NM60
信息内容：产品型号:STF23NM60N 1.特点 * 100％的雪崩测试 * 低输入电容和闸电荷 * 低栅极输入电阻 2.应用 * 开关应用 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):19 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.18 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):2050 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：17 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):700 导通延迟时间Td(on)(ns):25 TYP. 上升时间Tr(ns):15 TYP. 关断延迟时间Td(off)(ns):90 TYP. 下降时间Tf(ns):36 TYP. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,19A N-沟道增强型场效应晶体管 此系列器件设计采用第二代MDmes技术。这一革命性的功率MOSFET联营公司的带布局的一个新的垂直结构，得出一个世界上的导通电阻和栅极电荷。因此，适用于最苛刻的高效率转换器。 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 STP5NK50Z,P5NK50Z,STP5NK50
信息内容：产品型号:STP5NK50Z 特点： * 典型的RDS（ON）=1.22Ω * 极高dv/dt能力 * 100％的雪崩测试 * 栅极电荷最小化 * 非常低的固有电容 * 制造重复性非常好 说明 超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻 显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满 了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。 应用 * 大电流，高开关速度 * 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC * 照明 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):70 输入电容Ciss(PF):535 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：3.1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 上升时间Tr(ns):10 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):32 typ. 下降时间Tf(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产...
