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供应 场效应管 TPC8059-H

价 格: 面议
型号/规格:TPC8059-H,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.004Ω
品牌/商标:TOSHIBA(东芝)
封装形式:SOP-8
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:2500/盘

TPC8059-H,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.004Ω

产品型号:TPC8059-H
1。应用
(1)高效率的DC-DC转换器
(2)笔记本电脑
(3)移动手机

封装:SOP-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):18

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.3

功率PD(W):1.9

输入电容Ciss(PF):2900 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):421

导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.

上升时间Tr(ns):3.2 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):42 typ.

下降时间Tf(ns):8 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,18A N-沟道增强型场效应晶体管

 

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深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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供应 场效应管 TPCA8059-H

信息内容:

TPCA8059-H,PSOP-8/QFN-8 5*6,SMD/MOS,N场,30V,32A,0.0038Ω 产品型号:TPCA8059-H 1。应用 (1)高效率的DC-DC转换器 (2)笔记本电脑 (3)移动手机 2。特点 (1)小型,薄型封装 (2)高速开关 (3)小闸极充电:QSW= 9.1 NC(typ.) (4)低漏-源导通电阻RDS(ON)=3.8Ω(typ.)(VGS=4.5 V) (5)低漏电流IDSS=10μA(值)(VDS= 30 V) (6)增强模式:VTH=1.3--2.3 V(VDS= 10V,ID =0.5 mA) 封装:PSOP-8/QFN-8 5*6 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):32 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0038 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):2900 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s): 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):138 导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ. 上升时间Tr(ns):3.3 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):42 typ. 下降时间Tf(ns):6.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,32A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在...

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供应 场效应管 TK9A45D,K9A45D,TK9A45

信息内容:

TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω 产品型号:TK9A45D 1. 应用 (1)开关稳压器 2. 特点 (1)低漏 - 源极导通电阻RDS(ON)=0.63Ω(typ.) (2)高正向传输导纳:|YFS|=4.8 S(typ.) (3)低漏电流IDSS= 10μA(值)(VDS =450 V) (4)增强模式:VTH= 2.0--4.0 V(VDS= 10V,ID = 1 mA时) 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.77 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):4.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):170 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:450V,9A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下 载.)

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