供应 场效应管 TK9A45D,K9A45D,TK9A45
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω
产品型号:TK9A45D
1. 应用
（1）开关稳压器
2. 特点
（1）低漏 - 源极导通电阻RDS（ON）=0.63Ω（typ.）
（2）高正向传输导纳:|YFS|=4.8 S（typ.）
（3）低漏电流IDSS= 10μA（值）（VDS =450 V）
（4）增强模式：VTH= 2.0--4.0 V（VDS= 10V，ID = 1 mA时）
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):9
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.77 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):170
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:450V,9A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
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载.)
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK8A25DA,K8A25DA,TK8A25
信息内容：产品型号:TK8A25DA 1. 应用 （1）开关稳压器 （2）UPS电源 2. 特点 （1）低漏源导通电阻：RDS（ON）=0.41Ω（TYP.） （2）低漏电流IDSS=10uA（值）（VDS= 250 V） （3）增强模式：VTH=1.5--3.5 V（VDS =10V，ID =1mA） 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):7.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3.5 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):550 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45 导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ. 上升时间Tr(ns):28 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):66 typ. 下降时间Tf(ns):16 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:250V,7.5A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下 载.)
供应 场效应管 TK14A45DA,K14A45DA
信息内容：TK14A45DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,13.5A,0.41Ω 产品型号:TK14A45DA 开关稳压器应用 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):14 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.34 @VGS = 10 V 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：3.2 温度(℃): -55 ~150 描述:450V,14A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下 载.) dzsc/19/0953/19095394.jpg
