让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>供应 场效应管 TPCA8059-H

供应 场效应管 TPCA8059-H

价 格: 面议
型号/规格:TPCA8059-H
品牌/商标:TOSHIBA(东芝)
封装形式:PSOP-8/QFN-8 5*6
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:2500/盘

TPCA8059-H,PSOP-8/QFN-8 5*6,SMD/MOS,N场,30V,32A,0.0038Ω

产品型号:TPCA8059-H
1。应用
(1)高效率的DC-DC转换器
(2)笔记本电脑
(3)移动手机
2。特点
(1)小型,薄型封装
(2)高速开关
(3)小闸极充电:QSW= 9.1 NC(typ.)
(4)低漏-源导通电阻RDS(ON)=3.8Ω(typ.)(VGS=4.5 V)
(5)低漏电流IDSS=10μA(值)(VDS= 30 V)
(6)增强模式:VTH=1.3--2.3 V(VDS= 10V,ID =0.5 mA)

封装:PSOP-8/QFN-8 5*6

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):32

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0038 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.3

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):2900 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):138

导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.

上升时间Tr(ns):3.3 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):42 typ.

下降时间Tf(ns):6.4 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,32A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications


(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)

 

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
  • 电话:0755-82814431/82814432
  • 传真:0755-83957820
  • 手机:15914096884
  • QQ :QQ:4006262666QQ:2355799086QQ:2355799092
公司相关产品

供应 场效应管 TK9A45D,K9A45D,TK9A45

信息内容:

TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω 产品型号:TK9A45D 1. 应用 (1)开关稳压器 2. 特点 (1)低漏 - 源极导通电阻RDS(ON)=0.63Ω(typ.) (2)高正向传输导纳:|YFS|=4.8 S(typ.) (3)低漏电流IDSS= 10μA(值)(VDS =450 V) (4)增强模式:VTH= 2.0--4.0 V(VDS= 10V,ID = 1 mA时) 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.77 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):4.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):170 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:450V,9A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下 载.)

详细内容>>

供应 场效应管 TK8A25DA,K8A25DA,TK8A25

信息内容:

产品型号:TK8A25DA 1. 应用 (1)开关稳压器 (2)UPS电源 2. 特点 (1)低漏源导通电阻:RDS(ON)=0.41Ω(TYP.) (2)低漏电流IDSS=10uA(值)(VDS= 250 V) (3)增强模式:VTH=1.5--3.5 V(VDS =10V,ID =1mA) 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):7.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3.5 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):550 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):2.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45 导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ. 上升时间Tr(ns):28 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):66 typ. 下降时间Tf(ns):16 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:250V,7.5A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下 载.)

详细内容>>

相关产品