供应 场效应管 STP3NK60ZFP,P3NK60ZFP
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STP3NK60ZFP,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,2.4A,3.6Ω | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:STP3NK60ZFP
特点：
* 典型的RDS（ON）=3.3Ω
* 极高dv/dt能力
* 100％的雪崩测试
* 栅极电荷最小化
* 非常低的固有电容
* 制造重复性非常好
说明
超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻
显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满
了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。
应用
* 大电流，高开关速度
* 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC
* 照明
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):2.4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):20
输入电容Ciss(PF):311 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：1.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273
导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.
上升时间Tr(ns):14 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ.
下降时间Tf(ns):14 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,2.4A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AOT404,T404
信息内容：产品型号:AOT404 概述 该AOTF404/ L采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极 charge.This装置是适合使用在高电压同步整流，负载开关和一般用途的应用。 产品特点： * 开关速度快 * 低导通电阻（导通电阻≤15Ω） * 低栅极电荷（典型数据：5.0nC） * 低反向传输电容（典型：2.7pF） * 100％的单脉冲雪崩能量测试 应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * 符合RoHS标准 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):105 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):100 输入电容Ciss(PF):2038 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)50 单脉冲雪崩能量EAR(mJ):200 导通延迟时间Td(on)(ns):12.7 typ. 上升时间Tr(ns):8.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):31.5 typ. 下降时间Tf(ns):11.2 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:105V,40A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AOT502,T502,AOT500,T500
信息内容：产品型号:AOT502 概述 AOT502 uses an optimally designed temperature compensated gate-drain zener clamp. Under overvoltage conditions, the clamp activates and turns on the MOSFET, safely dissipating the energy in the MOSFET. The built in resistor guarantees proper clamp operation under all circuit conditions, and the MOSFET never goes into avalanche breakdown. Advanced trench technology provides excellent low Rdson, gate charge and body diode characteristics, making this device ideal for motor and inductive load control applications. 应用范围： * LED电源控制器 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):33 夹断电压VGS(V): 漏极电流Id(A):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0115 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.7 功率PD(W):79 输入电容Ciss(PF):1205 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):55 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):41 导通延迟时间Td(on)(ns):13.5 typ. 上升时间Tr(ns):17.5 t...
