供应 场效应管 AOT502,T502,AOT500,T500
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AOT502,TO-220,DIP/MOS,N场,33V,60A,0.0115Ω | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:AOT502
概述
AOT502 uses an optimally designed temperature compensated gate-drain
zener clamp. Under overvoltage conditions, the clamp activates and turns
on the MOSFET, safely dissipating the energy in the MOSFET.
The built in resistor guarantees proper clamp operation under all circuit
conditions, and the MOSFET never goes into avalanche breakdown. Advanced
trench technology provides excellent low Rdson, gate charge and body
diode characteristics, making this device ideal for motor and inductive
load control applications.
应用范围：
* LED电源控制器
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):33
夹断电压VGS(V):
漏极电流Id(A):60
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0115 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.7
功率PD(W):79
输入电容Ciss(PF):1205 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):55
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):41
导通延迟时间Td(on)(ns):13.5 typ.
上升时间Tr(ns):17.5 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):63 typ.
下降时间Tf(ns):27 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:33V,60A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AOTF6N90,AOTF4N90,TF6N90
信息内容：产品型号:AOTF6N90 概述 该AOTF6N90采用了先进的高电压MOSFET的制造过程，目的是在AC-DC转换应用中提供 较高的性能和稳定性。 通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss以及雪崩能力保证这零件可通过迅速进 入新的和现有的离线电源设计。 应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * HID灯 * 节能灯镇流器 * 逆变器 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):1196 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):160 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 上升时间Tr(ns):58 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ. 下降时间Tf(ns):49 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:900V,6A,2.2Ω N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AOTF13N50,TF13N50,AOTF16N50,TF16N50
信息内容：产品型号:AOTF13N50 概述 该AOT13N50和AOTF13N50已制作采用了先进的高电压MOSFET的过程，目的是在热门的 AC-DC应用提供高水平的性能和鲁棒性。 通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss一起雪崩能力保证这些部件可以通过迅 速进入新的和现有的离线电源设计。 应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * HID灯 * 节能灯镇流器 * 逆变器 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):13 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.51 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):1361 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)16 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):908 导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ. 上升时间Tr(ns):69 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):82 typ. 下降时间Tf(ns):55.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,13A 0.51Ω N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
