供应 场效应管 AOTF13N50,TF13N50,AOTF16N50,TF16N50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AOTF13N50,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,13A,0.51Ω | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:AOTF13N50
概述
该AOT13N50和AOTF13N50已制作采用了先进的高电压MOSFET的过程，目的是在热门的
AC-DC应用提供高水平的性能和鲁棒性。
通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss一起雪崩能力保证这些部件可以通过迅
速进入新的和现有的离线电源设计。
应用范围：
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* HID灯
* 节能灯镇流器
* 逆变器
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):13
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.51 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):1361 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)16
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):908
导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ.
上升时间Tr(ns):69 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):82 typ.
下降时间Tf(ns):55.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,13A 0.51Ω N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AOTF12N65,AOTF10N65,TF10N65
信息内容：产品型号:AOTF10N65 概述 该AOT10N65和AOTF10N65制作采用了先进的高电压MOSFET的制造过程，目的是在流行 的AC-DC应用提供高水平的性能和稳健性。通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和 Crss一起雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新的和现有的离线电源设计 应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * HID灯 * 节能灯镇流器 * 逆变器 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):1369 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)13 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):347 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 上升时间Tr(ns):61 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):74 typ. 下降时间Tf(ns):53 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,10A 1Ω N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AOT12N65,AOT10N65,T12N65
信息内容：产品型号:AOT12N65 概述 该AOT12N65和AOTF12N65制作采用了先进的高电压MOSFET的制造过程，目的是在流行 的AC-DC应用提供高水平的性能和稳健性。通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和 Crss一起雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新的和现有的离线电源设计 应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * HID灯 * 节能灯镇流器 * 逆变器 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.72 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):278 输入电容Ciss(PF):1792 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)17 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):750 导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ. 上升时间Tr(ns):77 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):120 typ. 下降时间Tf(ns):63 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,12A 0.72Ω N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
