供应 场效应管 AOT12N65,AOT10N65,T12N65
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AOT12N65,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,12A,0.72Ω | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:AOT12N65
概述
该AOT12N65和AOTF12N65制作采用了先进的高电压MOSFET的制造过程，目的是在流行
的AC-DC应用提供高水平的性能和稳健性。通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和
Crss一起雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新的和现有的离线电源设计
应用范围：
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* HID灯
* 节能灯镇流器
* 逆变器
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.72 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):278
输入电容Ciss(PF):1792 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)17
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):750
导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ.
上升时间Tr(ns):77 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):120 typ.
下降时间Tf(ns):63 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,12A 0.72Ω N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 三极管 BUL138,BUL128A,BUL1203E
信息内容：产品型号:BUL138 特点: * 意法半导体（ST）择优Salestype * NPN晶体管 * 高电压能力 * LOW传播动态参数 * 最小LOT-TO-LOT传播的可靠运行 * 极高的转换速度 * 125℃充分的特性 应用 电子镇流器的荧光灯照明 反激和远期单晶体管的低功率转换器 说明 BUL138是采用高压多外延平面技术高开关速度和高电压能力。它采用了蜂窝发射器 的结构与平面的边缘终端，以提高开关速度。 BUL系列是专为使用在照明应用和低 成本开关模式电源。 封装:TO-220 通道极性:NPN 集电极-发射极电压VCES(V):800 集电极-发射极电压VCEO(V):400 发射极-基极电压VEBO(V):9 集电极电流 IC(A):5 功率PC(W):80 特征频率fT(MHZ): 放大倍数hFE:8-40 集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :0.5 @ IC = 1A IB = 0.2A 结温Tj(℃)150 存储温度T stg(℃): -65 ~150 描述:400V,9A 高电压快速开关 NPN功率晶体管
供应 场效应管 TPC8059-H
信息内容：TPC8059-H,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.004Ω 产品型号:TPC8059-H 1。应用 （1）高效率的DC-DC转换器 （2）笔记本电脑 （3）移动手机 封装:SOP-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):1.9 输入电容Ciss(PF):2900 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):421 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):3.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):42 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,18A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
