供应 三极管 BUL138,BUL128A,BUL1203E
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BUL138,TO-220,DIP/三极管,NPN,400V,5A, | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 极性： | NPN型 |
产品型号:BUL138
特点:
* 意法半导体（ST）择优Salestype
* NPN晶体管
* 高电压能力
* LOW传播动态参数
* 最小LOT-TO-LOT传播的可靠运行
* 极高的转换速度
* 125℃充分的特性
应用
电子镇流器的荧光灯照明
反激和远期单晶体管的低功率转换器
说明
BUL138是采用高压多外延平面技术高开关速度和高电压能力。它采用了蜂窝发射器
的结构与平面的边缘终端，以提高开关速度。 BUL系列是专为使用在照明应用和低
成本开关模式电源。
封装:TO-220
通道极性:NPN
集电极-发射极电压VCES(V):800
集电极-发射极电压VCEO(V):400
发射极-基极电压VEBO(V):9
集电极电流 IC(A):5
功率PC(W):80
特征频率fT(MHZ):
放大倍数hFE:8-40
集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :0.5 @ IC = 1A IB = 0.2A
结温Tj(℃)150
存储温度T stg(℃): -65 ~150
描述:400V,9A 高电压快速开关 NPN功率晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TPC8059-H
信息内容：TPC8059-H,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.004Ω 产品型号:TPC8059-H 1。应用 （1）高效率的DC-DC转换器 （2）笔记本电脑 （3）移动手机 封装:SOP-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):1.9 输入电容Ciss(PF):2900 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):421 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):3.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):42 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,18A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TPCA8059-H
信息内容：TPCA8059-H,PSOP-8/QFN-8 5*6,SMD/MOS,N场,30V,32A,0.0038Ω 产品型号:TPCA8059-H 1。应用 （1）高效率的DC-DC转换器 （2）笔记本电脑 （3）移动手机 2。特点 （1）小型，薄型封装 （2）高速开关 （3）小闸极充电：QSW= 9.1 NC（typ.） （4）低漏-源导通电阻RDS(ON)=3.8Ω（typ.）（VGS=4.5 V） （5）低漏电流IDSS=10μA（值）（VDS= 30 V） （6）增强模式：VTH=1.3--2.3 V（VDS= 10V，ID =0.5 mA） 封装:PSOP-8/QFN-8 5*6 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):32 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0038 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):2900 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):138 导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ. 上升时间Tr(ns):3.3 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):42 typ. 下降时间Tf(ns):6.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,32A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在...
