场效应管 CS1N60A3H,CS2N60A3H,CS2N60
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | CS1N60A3H,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,0.8A,15Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | 华晶 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
CS1N60A3H,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,0.8A,15Ω
产品型号:CS1N60A3H
概述：
硅CS1N60A3H，N-沟道的增强VDMOSFETs，是通过以下方式获得的自对准的平面技术，能够降低导通损耗，提高开关性能和增强的雪崩能量。的晶体管可以使用在各种电源的开关电路，用于系统的小型化和更高的效率。封装形式为TO-251，
符合RoHS标准。
产品特点：
* 开关速度快
* 低导通电阻（导通电阻≤15Ω）
* 低栅极电荷（典型数据：5.0nC）
* 低反向传输电容（典型：2.7pF）
* 100％的单脉冲雪崩能量测试
应用范围：
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* 符合RoHS标准
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):0.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):30
输入电容Ciss(PF):92 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60
导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.
上升时间Tr(ns):26 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.
下降时间Tf(ns):27 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,0.8A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应 STP3NK60ZFP,P3NK60ZFP,STP3NK60Z
信息内容：STP3NK60ZFP,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,2.4A,3.6Ω产品型号:STP3NK60ZFP特点： * 典型的RDS（ON）=3.3Ω * 极高dv/dt能力 * 100％的雪崩测试 * 栅极电荷最小化 * 非常低的固有电容 * 制造重复性非常好说明超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。应用 * 大电流，高开关速度 * 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC * 照明封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):2.4源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4.5功率PD(W):20输入电容Ciss(PF):311 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：1.8单脉冲雪崩能量EAS(mJ):150导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.上升时间Tr(ns):14 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ.下降时间Tf(ns):14 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,2.4A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
场效应管 STP5NK50Z,P5NK50Z,STP5NK50
信息内容：STP5NK50Z,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,4.4A,1.5Ω产品型号:STP5NK50Z特点： * 典型的RDS（ON）=1.22Ω * 极高dv/dt能力 * 100％的雪崩测试 * 栅极电荷最小化 * 非常低的固有电容 * 制造重复性非常好说明超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。应用 * 大电流，高开关速度 * 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC * 照明封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):4.4源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4.5功率PD(W):70输入电容Ciss(PF):535 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：3.1单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.上升时间Tr(ns):10 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):32 typ.下降时间Tf(ns):15 typ.温度(℃): -55 ~150描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
