场效应管 STP5NK50Z,P5NK50Z,STP5NK50
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | STP5NK50Z,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,4.4A,1.5Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
STP5NK50Z,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,4.4A,1.5Ω
产品型号:STP5NK50Z
特点：
* 典型的RDS（ON）=1.22Ω
* 极高dv/dt能力
* 100％的雪崩测试
* 栅极电荷最小化
* 非常低的固有电容
* 制造重复性非常好
说明
超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。
应用
* 大电流，高开关速度
* 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC
* 照明
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4.4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):70
输入电容Ciss(PF):535 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3.1
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):32 typ.
下降时间Tf(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 AP9971GH,9971GH,AP9971AGH
信息内容：AP9971GH,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,25A,0.036Ω产品型号:AP9971GH特点： * 简单的驱动要求 * 低导通电阻 * 表面贴装封装封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):25源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.036 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):39输入电容Ciss(PF):1700 typ.通道极性:P沟道低频跨导gFS(s)：17单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.上升时间Tr(ns):24 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ.下降时间Tf(ns):7 typ.温度(℃): -55 ~150描述:60V,25A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
场效应管 AP9972GP,9972GP,AP9972AGP
信息内容：AP9972GP,TO-220,SMD/MOS,N场,60V,60A,0.018Ω产品型号:AP9972GP特点： * 低栅极电荷 * 单驱动器要求 * 符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±25漏极电流Id(A):60源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.018 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):89输入电容Ciss(PF):3170 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：55单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.上升时间Tr(ns):58 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ.下降时间Tf(ns):80 typ.温度(℃): -55 ~150描述:60V,60A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
