场效应管 AP9971GH,9971GH,AP9971AGH
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | AP9971GH,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,25A,0.036Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | APEC/富鼎 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
AP9971GH,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,25A,0.036Ω
产品型号:AP9971GH
特点：
* 简单的驱动要求
* 低导通电阻
* 表面贴装封装
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):25
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.036 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):39
输入电容Ciss(PF):1700 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：17
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.
上升时间Tr(ns):24 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ.
下降时间Tf(ns):7 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,25A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 AP9972GP,9972GP,AP9972AGP
信息内容：AP9972GP,TO-220,SMD/MOS,N场,60V,60A,0.018Ω产品型号:AP9972GP特点： * 低栅极电荷 * 单驱动器要求 * 符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±25漏极电流Id(A):60源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.018 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):89输入电容Ciss(PF):3170 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：55单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.上升时间Tr(ns):58 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ.下降时间Tf(ns):80 typ.温度(℃): -55 ~150描述:60V,60A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
ST原装三极管 BUL138,现货，摩洛哥产地
信息内容：BUL138,TO-220,DIP/三极管,NPN,400V,5A,产品型号:BUL138特点: * 意法半导体（ST）择优Salestype * NPN晶体管 * 高电压能力 * LOW传播动态参数 * 最小LOT-TO-LOT传播的可靠运行 * 极高的转换速度 * 125℃充分的特性应用 电子镇流器的荧光灯照明 反激和远期单晶体管的低功率转换器说明BUL138是采用高压多外延平面技术高开关速度和高电压能力。它采用了蜂窝发射器的结构与平面的边缘终端，以提高开关速度。 BUL系列是专为使用在照明应用和低成本开关模式电源。封装:TO-220通道极性:NPN集电极-发射极电压VCES(V):800集电极-发射极电压VCEO(V):400发射极-基极电压VEBO(V):9集电极电流 IC(A):5功率PC(W):80特征频率fT(MHZ):放大倍数hFE:8-40集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :0.5 @ IC = 1A IB = 0.2A结温Tj(℃)150存储温度T stg(℃): -65 ~150描述:400V,9A 高电压快速开关 NPN功率晶体管
