ST原装三极管 BUL138,现货，摩洛哥产地
| 价 格： | 面议 | |
| 封装形式： | TO-220-3 | |
| 型号/规格： | BUL138 | |
| 材料： | MMUN2216、MMUN2216 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 应用范围： | 功率 |
BUL138,TO-220,DIP/三极管,NPN,400V,5A,
产品型号:BUL138
特点:
* 意法半导体（ST）择优Salestype
* NPN晶体管
* 高电压能力
* LOW传播动态参数
* 最小LOT-TO-LOT传播的可靠运行
* 极高的转换速度
* 125℃充分的特性
应用
电子镇流器的荧光灯照明
反激和远期单晶体管的低功率转换器
说明
BUL138是采用高压多外延平面技术高开关速度和高电压能力。它采用了蜂窝发射器的结构与平面的边缘终端，以提高开关速度。 BUL系列是专为使用在照明应用和低成本开关模式电源。
封装:TO-220
通道极性:NPN
集电极-发射极电压VCES(V):800
集电极-发射极电压VCEO(V):400
发射极-基极电压VEBO(V):9
集电极电流 IC(A):5
功率PC(W):80
特征频率fT(MHZ):
放大倍数hFE:8-40
集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :0.5 @ IC = 1A IB = 0.2A
结温Tj(℃)150
存储温度T stg(℃): -65 ~150
描述:400V,9A 高电压快速开关 NPN功率晶体管
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方卫贤
- 电话：0755-82814431
- 传真：0755-82814431
- 手机：
- QQ ：
场效应管 TK80A08K3,K80A08K3
信息内容：TK80A08K3,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.0045ΩTK80E06K3,TO-220,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.0085ΩTK30A06J3A,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,30A,0.026Ω产品型号:TK80A08K3封装:TO-220F品牌：TOSHIBA/东芝源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):80源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):25输入电容Ciss(PF):8200 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：200单脉冲雪崩能量EAS(mJ):443导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ.上升时间Tr(ns):30 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ.下降时间Tf(ns):150 typ.温度(℃): -55 ~150描述:TK80A08K3 75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管 登陆我站:http://www.chinajincheng.com企业Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 KMB075N75P-U/P,KMB075N75P,KMB075N75
信息内容：KMB075N75P-U/P,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,75A,0.017Ω产品型号:KMB075N75P-U/P概述这的平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑和开关式电源供应器。特点: * VDSS =75V，ID =75A * 漏源导通电阻RDS(ON)=0.017@ VGS = 10V * QG（TYP.）=85nC * 改进的dv/dt容量，高耐用性 * 结温范围（175）封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):75源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):190输入电容Ciss(PF):3000 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：2.8单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1350导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ.上升时间Tr(ns):300 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.下降时间Tf(ns):180 typ.温度(℃): -55 ~175描述:75V,75A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
