场效应管 TK80A08K3,K80A08K3
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | TK80A08K3,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.0045Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
TK80A08K3,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.0045Ω
TK80E06K3,TO-220,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.0085Ω
TK30A06J3A,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,30A,0.026Ω
产品型号:TK80A08K3
封装:TO-220F
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):25
输入电容Ciss(PF):8200 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：200
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):443
导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ.
上升时间Tr(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ.
下降时间Tf(ns):150 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TK80A08K3 75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管
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场效应管 KMB075N75P-U/P,KMB075N75P,KMB075N75
信息内容：KMB075N75P-U/P,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,75A,0.017Ω产品型号:KMB075N75P-U/P概述这的平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑和开关式电源供应器。特点: * VDSS =75V，ID =75A * 漏源导通电阻RDS(ON)=0.017@ VGS = 10V * QG（TYP.）=85nC * 改进的dv/dt容量，高耐用性 * 结温范围（175）封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):75源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):190输入电容Ciss(PF):3000 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：2.8单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1350导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ.上升时间Tr(ns):300 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.下降时间Tf(ns):180 typ.温度(℃): -55 ~175描述:75V,75A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 TK14A45D,K14A45D
信息内容：TK14A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,14A,0.34Ω产品型号:TK14A45D 开关稳压器应用封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):14源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.34 @VGS = 10 V功率PD(W):45输入电容Ciss(PF):1800 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：3.2温度(℃): -55 ~150描述:450V,14A N-沟道增强型场效应晶体管Switching Regulator Applications(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.
