场效应管 KMB075N75P-U/P,KMB075N75P,KMB075N75
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | KMB075N75P-U/P,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,75A,0.017Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | KEC | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
KMB075N75P-U/P,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,75A,0.017Ω
产品型号:KMB075N75P-U/P
概述
这的平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑和开关式电源供应器。
特点:
* VDSS =75V，ID =75A
* 漏源导通电阻RDS(ON)=0.017@ VGS = 10V
* QG（TYP.）=85nC
* 改进的dv/dt容量，高耐用性
* 结温范围（175）
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):190
输入电容Ciss(PF):3000 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1350
导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ.
上升时间Tr(ns):300 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.
下降时间Tf(ns):180 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:75V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
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场效应管 TK14A45D,K14A45D
信息内容：TK14A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,14A,0.34Ω产品型号:TK14A45D 开关稳压器应用封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):14源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.34 @VGS = 10 V功率PD(W):45输入电容Ciss(PF):1800 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：3.2温度(℃): -55 ~150描述:450V,14A N-沟道增强型场效应晶体管Switching Regulator Applications(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.
场效应管 TK9A45D,K9A45D
信息内容：TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω产品型号:TK9A45D1. 应用（1）开关稳压器2. 特点（1）低漏 - 源极导通电阻RDS（ON）=0.63Ω（typ.）（2）高正向传输导纳:|YFS|=4.8 S（typ.）（3）低漏电流IDSS= 10μA（值）（VDS =450 V）（4）增强模式：VTH= 2.0--4.0 V（VDS= 10V，ID = 1 mA时）封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):9源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.77 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40输入电容Ciss(PF):800 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：4.8单脉冲雪崩能量EAS(mJ):170导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.上升时间Tr(ns):20 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.下降时间Tf(ns):12 typ.温度(℃): -55 ~150描述:450V,9A N-沟道增强型场效应晶体管Switching Regulator Applications(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.) "
