场效应管 TK9A45D,K9A45D
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω
产品型号:TK9A45D
1. 应用
（1）开关稳压器
2. 特点
（1）低漏 - 源极导通电阻RDS（ON）=0.63Ω（typ.）
（2）高正向传输导纳:|YFS|=4.8 S（typ.）
（3）低漏电流IDSS= 10μA（值）（VDS =450 V）
（4）增强模式：VTH= 2.0--4.0 V（VDS= 10V，ID = 1 mA时）
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):9
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.77 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):170
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:450V,9A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 BXL4001
信息内容：BXL4001,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,85A,0.0124Ω产品型号:BXL4001 通用开关设备应用封装:TO-220品牌：SANYO/三洋源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):85源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0124 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):75输入电容Ciss(PF):6700 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：75单脉冲雪崩能量EAS(mJ):211导通延迟时间Td(on)(ns):75 typ.上升时间Tr(ns):340 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):260 typ.下降时间Tf(ns):170 typ.温度(℃): -55 ~150描述:BXL4001 75V,85A N-沟道增强型场效应晶体管登陆我站:http://www.chinajincheng.com企业Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.) "
场效应管 2SK4103,K4103
信息内容：2SK4103,SOT-252,SMD/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω产品型号:2SK4103 开关稳压器应用封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40输入电容Ciss(PF):550 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：2.8单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.上升时间Tr(ns):10 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ.下降时间Tf(ns):10 typ.温度(℃): -55 ~150描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管Switching Regulator Applications(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
