价 格: | 面议 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
型号/规格: | BXL4001,SANYO,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,85A,0.0124Ω | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | S/开关 | |
品牌/商标: | SANYO/三洋 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
BXL4001,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,85A,0.0124Ω
产品型号:BXL4001 通用开关设备应用
封装:TO-220
品牌:SANYO/三洋
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):85
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0124 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):75
输入电容Ciss(PF):6700 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):75
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):211
导通延迟时间Td(on)(ns):75 typ.
上升时间Tr(ns):340 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):260 typ.
下降时间Tf(ns):170 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:BXL4001 75V,85A N-沟道增强型场效应晶体管
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企业Q Q:4006262666
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2SK4103,SOT-252,SMD/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω产品型号:2SK4103 开关稳压器应用封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40输入电容Ciss(PF):550 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s):2.8单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.上升时间Tr(ns):10 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ.下降时间Tf(ns):10 typ.温度(℃): -55 ~150描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管Switching Regulator Applications(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
TK11A45D,TO-220F定型脚,DIP/MOS,N场,450V,11A,0.62Ω产品型号:TK11A45D 开关稳压器应用封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):11源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.62 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40输入电容Ciss(PF):1050 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s):3.2单脉冲雪崩能量EAS(mJ):238导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.上升时间Tr(ns):25 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.下降时间Tf(ns):10 typ.温度(℃): -55 ~150描述:450V,11A N-沟道增强型场效应晶体管Switching Regulator Applications(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"