场效应管 TK11A45D,K11A45D,TK11A45
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | TK11A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,11A,0.62Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
TK11A45D,TO-220F定型脚,DIP/MOS,N场,450V,11A,0.62Ω
产品型号:TK11A45D 开关稳压器应用
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):11
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.62 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):1050 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):238
导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.
上升时间Tr(ns):25 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:450V,11A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 TK65A10N1,K65A10N1
信息内容：TK65A10N1,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,100V,65A,0.0048ΩTK65A10N1,TO-220F,DIP/MOS,N场,100V,65A,0.0048Ω产品型号:TK65A10N1封装:TO-220F品牌：TOSHIBA/东芝源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):65源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0048 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):45输入电容Ciss(PF):5700 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):143导通延迟时间Td(on)(ns):44 typ.上升时间Tr(ns):19 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):85 typ.下降时间Tf(ns):25 typ.温度(℃): -55 ~150描述:TK65A10N1 100V,65A N-沟道增强型场效应晶体管登陆我站:http://www.chinajincheng.com企业Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.) "
场效应管 2SK4003,K4003
信息内容：2SK4003,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,3A,2.2Ω产品型号:2SK4003 切碎机稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用封装:TO-251源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):3源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):20输入电容Ciss(PF):600 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：2单脉冲雪崩能量EAS(mJ):168导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.上升时间Tr(ns):16 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ.下降时间Tf(ns):18 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,3A N-沟道增强型场效应晶体管Switching Regulator Applications(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
