场效应管 2SK4003,K4003
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | 2SK4003,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,3A,2.2Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
2SK4003,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,3A,2.2Ω
产品型号:2SK4003 切碎机稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):3
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):20
输入电容Ciss(PF):600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):168
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ.
下降时间Tf(ns):18 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,3A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
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场效应管 TK40E10K3,K40E10K3
信息内容：TK40E10K3,TOSHIBA,TO-220,DIP/MOS,N场,100V,40A,0.015Ω产品型号:TK40E10K3 通用开关设备应用封装:TO-220品牌：TOSHIBA/东芝源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):40源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):147输入电容Ciss(PF):4000 typ.通道极性:N沟道温度(℃): -55 ~150描述:TK40E10K3 100V,10A N-沟道增强型场效应晶体管登陆我站:http://www.chinajincheng.com企业Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.) dzsc/19/2462/19246219.jpg
场效应管 2SK3305,K3305
信息内容：2SK3305,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管应用: * 开关 * 工业用特点: * 低栅极电荷：QG = 13 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5.0 A) * 门额定电压：±30 V * 低通态电阻: RDS(on) = 1.5 W MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.5 A) * 雪崩能力评级产品型号:2SK3305封装:TO-220品牌：TOSHIBA/东芝源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3.5功率PD(W):75输入电容Ciss(PF):700 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：3单脉冲雪崩能量EAS(mJ):125导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.上升时间Tr(ns):3 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ.下降时间Tf(ns):5.5 typ.温度(℃): -55 ~150描述:2SK3305,500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管登陆我站:http://www.chinajincheng.com(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
