供应 场效应管 AOT404,T404
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AOT404,TO-220,DIP/MOS,N场,105V,40A,0.028Ω | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:AOT404
概述
该AOTF404/ L采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极
charge.This装置是适合使用在高电压同步整流，负载开关和一般用途的应用。
产品特点：
* 开关速度快
* 低导通电阻（导通电阻≤15Ω）
* 低栅极电荷（典型数据：5.0nC）
* 低反向传输电容（典型：2.7pF）
* 100％的单脉冲雪崩能量测试
应用范围：
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* 符合RoHS标准
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):105
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):100
输入电容Ciss(PF):2038 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)50
单脉冲雪崩能量EAR(mJ):200
导通延迟时间Td(on)(ns):12.7 typ.
上升时间Tr(ns):8.2 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):31.5 typ.
下降时间Tf(ns):11.2 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:105V,40A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AOT502,T502,AOT500,T500
信息内容：产品型号:AOT502 概述 AOT502 uses an optimally designed temperature compensated gate-drain zener clamp. Under overvoltage conditions, the clamp activates and turns on the MOSFET, safely dissipating the energy in the MOSFET. The built in resistor guarantees proper clamp operation under all circuit conditions, and the MOSFET never goes into avalanche breakdown. Advanced trench technology provides excellent low Rdson, gate charge and body diode characteristics, making this device ideal for motor and inductive load control applications. 应用范围： * LED电源控制器 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):33 夹断电压VGS(V): 漏极电流Id(A):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0115 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.7 功率PD(W):79 输入电容Ciss(PF):1205 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):55 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):41 导通延迟时间Td(on)(ns):13.5 typ. 上升时间Tr(ns):17.5 t...
供应 场效应管 AOTF6N90,AOTF4N90,TF6N90
信息内容：产品型号:AOTF6N90 概述 该AOTF6N90采用了先进的高电压MOSFET的制造过程，目的是在AC-DC转换应用中提供 较高的性能和稳定性。 通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss以及雪崩能力保证这零件可通过迅速进 入新的和现有的离线电源设计。 应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * HID灯 * 节能灯镇流器 * 逆变器 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):1196 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):160 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 上升时间Tr(ns):58 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ. 下降时间Tf(ns):49 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:900V,6A,2.2Ω N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
