大功率MOS场效应管 FQP3P20 原装环保 拆机包测
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQP3P20 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 222（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: P-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2.7 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 1.23 S
汲极/源极击穿电压: - 200 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流: 2.8 A
功率耗散: 52 W
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
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INFINEON全新场效应管/散新管IKW20N60T K20T60
信息内容：INFINEON全新场效应管/散新管IKW20N60T K20T60 INFINEON全新场效应管/散新管IKW20N60T K20T60 IKW20N60T K20T60产品规格 参数 PDF Datasheets IKW20N60TProduct Photos TO-247 PkgStandard Package 240Category Discrete Semiconductor ProductsFamily IGBTs - SingleSeries TrenchStop™IGBT Type Trench and Field StopVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600VVce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 20ACurrent - Collector (Ic) (Max) 40APower - Max 166WInput Type StandardMounting Type Through HolePackage / Case TO-247-3Supplier Device Package PG-TO247-3Packaging TubeOther Names SP000054886
专营仙童场效应管 FQP6N90
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.9 Ohms 汲极/源极击穿电压: 900 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 5.8 A 功率耗散: 167 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQP6N90_NL 深圳宏诚辉电子商行 为新老客户提供配套服务 QQ 838205202
